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1. (WO2017169622) SUBSTRAT AUTO-PORTEUR ET CORPS STRATIFIÉ
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N° de publication : WO/2017/169622 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009446
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 09.03.2017
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 19/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38
Nitrures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
12
caractérisée par le substrat
Déposants :
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
Inventeurs :
内川 哲哉 UCHIKAWA Tetsuya; JP
今井 克宏 IMAI Katsuhiro; JP
平尾 崇行 HIRAO Takayuki; JP
Mandataire :
細田 益稔 HOSODA Masutoshi; JP
青木 純雄 AOKI Sumio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06534329.03.2016JP
Titre (EN) FREE-STANDING SUBSTRATE AND LAMINATED BODY
(FR) SUBSTRAT AUTO-PORTEUR ET CORPS STRATIFIÉ
(JA) 自立基板および積層体
Abrégé :
(EN) A group XIII element nitride crystal layer 2 is grown on an oriented polycrystalline sintered body 1 having a thickness of 150 μm or more and 1 mm or less. The thickness T of the group XIII element nitride crystal layer 2 is 5.5-20 times the thickness t of the oriented polycrystalline sintered body 1. A free-standing substrate that includes the group XIII element nitride crystal layer is obtained by separating the group XIII element nitride crystal layer from the oriented polycrystalline sintered body.
(FR) La présente invention décrit une couche cristalline de nitrure d’un élément du groupe XIII 2 cultivé sur un corps fritté polycristallin orienté 1 présentant une épaisseur de 150 µm ou plus et 1 mm ou moins. L’épaisseur T de la couche cristalline de nitrure d’un élément du groupe XIII 2 représente 5,5 à 20 fois l’épaisseur t du corps fritté polycristallin orienté 1. La présente invention décrit un substrat autonome qui comprend la couche cristalline de nitrure d’un élément du groupe XIII obtenu par séparation de la couche cristalline de nitrure d’un élément du groupe XIII du corps fritté polycristallin orienté.
(JA) 厚さが150μm以上、1mm以下の配向多結晶焼結体1上に、13族元素窒化物結晶層2を育成する。13族元素窒化物結晶層2の厚さTを配向多結晶焼結体1の厚さtの5.5倍以上、20倍以下とする。13族元素窒化物結晶層を配向多結晶焼結体から分離することによって13族元素窒化物結晶層を含む自立基板を得る。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)