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1. (WO2017169540) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2017/169540    International Application No.:    PCT/JP2017/008842
Publication Date: 5 oct. 2017 International Filing Date: 6 mars 2017
IPC: H01L 21/8246
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
H01L 43/12
Applicants: SONY CORPORATION
ソニー株式会社
Inventors: ITO, Takuya
伊藤 琢哉
SAGA, Koichiro
嵯峨 幸一郎
Title: ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE
Abstract:
Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer la fiabilité d'un élément de mémoire en tant qu'élément. La solution proposée par l'invention concerne un élément de mémoire configuré en disposant, sur un substrat, de multiples éléments à résistance magnétique ayant chacun une structure MTJ. Dans chacun des éléments à résistance magnétique, une région démagnétisée existe dans une région, autre qu'une région qui fonctionne comme élément à résistance magnétique, d'une couche de corps magnétique qui fonctionne comme une couche de stockage, et la région démagnétisée comprend un alliage qui comprend : un premier élément chimique formant la couche de corps magnétique ; et un second élément chimique qui prend une structure fcc lorsqu'il est formé en tant qu'alliage avec le premier élément chimique.