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1. (WO2017169447) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/169447 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/007575
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.02.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
868
Diodes PIN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
872
Diodes Schottky
Déposants :
新電元工業株式会社 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
北田 瑞枝 KITADA, Mizue; JP
浅田 毅 ASADA, Takeshi; JP
山口 武司 YAMAGUCHI, Takeshi; JP
鈴木 教章 SUZUKI, Noriaki; JP
新井 大輔 ARAI, Daisuke; JP
Mandataire :
松尾 誠剛 MATSUO, Nobutaka; JP
Données relatives à la priorité :
PCT/JP2016/06086031.03.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) This semiconductor device 100 comprises: a semiconductor base 110 having a second semiconductor layer 114 laminated upon a first semiconductor layer 112, having a trench 118 formed in the surface of the second semiconductor layer 114, and having a third semiconductor layer 116 comprising an epitaxial layer, formed inside the trench 118; a first electrode 126; an interlayer insulating film 122 having a prescribed opening 128; and a second electrode 124. Metal is filled inside the opening 128 and the opening 128 is positioned at a position away from the center of the third semiconductor layer 116. The second electrode 124 is connected to the third semiconductor layer 116 via the metal. The surface of the center section of the third semiconductor layer 116 is covered by the interlayer insulating film 122. As a result, a semiconductor device is provided that: comprises the semiconductor base 110 having the third semiconductor layer 116 that comprises the epitaxial layer and is formed inside the trench 118; and is unlikely to have reduction in voltage resistance resulting from breakdown in a reach-through mode.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui comprend : une base semi-conductrice (110) comportant une deuxième couche semi-conductrice (114) stratifiée sur une première couche semi-conductrice (112), une tranchée (118) formée dans la surface de la deuxième couche semi-conductrice (114), et une troisième couche semi-conductrice (116), comprenant une couche épitaxiale, formée à l'intérieur de la tranchée (118) ; une première électrode (126) ; un film isolant intercouche (122) comportant une ouverture prescrite (128) ; et une seconde électrode (124). Du métal est introduit à l'intérieur de l'ouverture (128) et l'ouverture (128) est positionnée à une position éloignée du centre de la troisième couche semi-conductrice (116). La seconde électrode (124) est connectée à la troisième couche semi-conductrice (116) par l'intermédiaire du métal. La surface de la section centrale de la troisième couche semi-conductrice (116) est recouverte par le film isolant intercouche (122). En conséquence, un dispositif à semi-conducteur est obtenu, lequel dispositif : comprend la base semi-conductrice (110) comportant la troisième couche semi-conductrice (116) qui comprend la couche épitaxiale et est formée à l'intérieur de la tranchée (118) ; et est peu susceptible de présenter une réduction de la résistance à la pression résultant d'une défaillance dans un mode de pénétration.
(JA) 本発明の半導体装置100は、第1半導体層112の上に第2半導体層114が積層され、第2半導体層114の表面にはトレンチ118が形成され、トレンチ118内にはエピタキシャル層からなる第3半導体層116が形成されている半導体基体110と、第1電極126と、所定の開口128を有する層間絶縁膜122と、第2電極124とを備え、開口128の内部には金属が充填され、開口128は、第3半導体層116の中央部を避けた位置に位置し、第2電極124は、第3半導体層116と金属を介して接続され、第3半導体層116の中央部の表面は、層間絶縁膜122で覆われている。 本発明の半導体装置によれば、トレンチ118内にエピタキシャル層からなる第3導体層116が形成されている半導体基体110を備える半導体装置でありながら、リーチスルーモードのブレークダウンにより耐圧が低下し難い半導体装置を提供する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)