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1. (WO2017169435) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2017/169435 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/007462
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.02.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
阿部 博史 ABE, Hiroshi; JP
林 豊秀 HAYASHI, Toyohide; JP
小林 健司 KOBAYASHI, Kenji; JP
Mandataire :
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité :
2016-06717730.03.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Abrégé :
(EN) A substrate treatment apparatus of the present invention includes: a spin base, on which a chuck member that holds the peripheral end of a substrate is disposed; a motor for rotating the spin base; a heater unit positioned between the substrate held by the chuck member, and the upper surface of the spin base; a treatment liquid supply unit that supplies a treatment liquid to the surface of the substrate held by the chuck member; and a microwave generation unit that generates microwaves toward the lower surface of the substrate from the heater unit. The microwave generation unit may include: a microwave generation member including a waveguide disposed in the heater unit; a microwave oscillator that is provided outside of the heater unit; and a coaxial cable that connects the waveguide and the microwave oscillator to each other.
(FR) La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat qui comprend : une base rotative, sur laquelle est disposé un élément de mandrin qui maintient l'extrémité périphérique d'un substrat ; un moteur pour faire tourner la base rotative ; une unité de chauffage positionnée entre le substrat maintenu par l'élément de mandrin et la surface supérieure de la base rotative ; une unité d'alimentation en liquide de traitement qui amène un liquide de traitement sur la surface du substrat maintenu par l'élément de mandrin ; et une unité de génération de micro-ondes qui génère des micro-ondes dirigées vers la surface inférieure du substrat à partir de l'unité de chauffage. L'unité de génération de micro-ondes peut comprendre : un élément de génération de micro-ondes comprenant un guide d'ondes disposé dans l'unité de chauffage ; un oscillateur hyperfréquence qui est disposé à l'extérieur de l'unité de chauffage ; et un câble coaxial qui connecte l'un à l'autre le guide d'ondes et l'oscillateur hyperfréquence.
(JA) 基板処理装置は、基板の周縁を保持するチャック部材が設置されたスピンベースと、前記スピンベースを回転させるモータと、前記チャック部材に保持された基板と前記スピンベースの上面との間に位置するヒータユニットと、前記チャック部材に保持された基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記ヒータユニットから前記基板の下面に向けてマイクロ波を発生させるマイクロ波発生ユニットとを含む。前記マイクロ波発生ユニットは、前記ヒータユニットに設置された導波管を含むマイクロ波発生部材と、前記ヒータユニットの外部に設けられたマイクロ波発振器と、前記導波管と前記マイクロ波発振器とを接続する同軸ケーブルとを含んでいてもよい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)