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1. (WO2017169314) ÉLÉMENT D'IMAGERIE EN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/169314 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006448
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 22.02.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
澁田 宏和 SHIBUTA Hirokazu; JP
Mandataire :
渡邊 薫 WATANABE Kaoru; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07344531.03.2016JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE EN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、及び電子装置
Abrégé :
(EN) To provide a backside-illuminated solid-state imaging element which is capable of improving image quality. Provided is a backside-illuminated solid-state imaging element which is provided at least with a semiconductor substrate, an organic photoelectric conversion film that is formed above one of the front and back surfaces of the semiconductor substrate, and an optical waveguide that is formed between the semiconductor substrate and the organic photoelectric conversion film.
(FR) L'invention vise à produire un élément d'imagerie en semiconducteur éclairé par l'arrière qui est capable d'améliorer la qualité d'image. L'invention concerne un élément d'imagerie en semiconducteur éclairé par l'arrière qui comprend au moins un substrat en semiconducteur, un film de conversion photoélectrique organique qui est formé au-dessus de l'une des surfaces avant et arrière du substrat en semiconducteur, et un guide d'ondes optique qui est formé entre le substrat en semiconducteur et le film de conversion photoélectrique organique.
(JA) 画質を向上させることができる裏面照射型の固体撮像素子を提供すること。 半導体基板と、該半導体基板の表裏面のうちの一方の面側に形成されている有機光電変換膜と、該半導体基板と該有機光電変換膜との間に形成されている光導波路と、を少なくとも備える、裏面照射型の固体撮像素子を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)