Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017169313) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR ESTIMER LE NIVEAU DE DÉGRADATION OU L'ESPÉRANCE DE DURÉE DE VIE D'UN MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPRENANT AU MOINS UNE PUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/169313 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006446
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 15.02.2017
CIB :
G01R 29/22 (2006.01) ,G01R 31/28 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
29
Dispositions pour procéder aux mesures ou à l'indication de grandeurs électriques n'entrant pas dans les groupes G01R19/-G01R27/165
22
Mesure de propriétés piézo-électriques
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28
Essai de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
Déposants :
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V. [NL/NL]; Capronilaan 46 1119 NS Schiphol Rijk, NL (JP)
Inventeurs :
DEGRENNE, Nicolas; FR
MOLLOV, Stefan; FR
Mandataire :
SOGA, Michiharu; S. SOGA & CO., 8th Floor, Kokusai Building, 1-1 Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
16162868.030.03.2016EP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR ESTIMATING LEVEL OF DAMAGE OR LIFETIME EXPECTATION OF POWER SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING AT LEAST ONE DIE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR ESTIMER LE NIVEAU DE DÉGRADATION OU L'ESPÉRANCE DE DURÉE DE VIE D'UN MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPRENANT AU MOINS UNE PUCE
Abrégé :
(EN) The present invention concerns a method for estimating a level of damage or a lifetime expectation of a power semiconductor module (10) comprising at least one die (100a, 100b) that is mechanically and electrically attached to a ceramic substrate (104). The ceramic substrate (104) has piezoelectric properties and the method comprises the steps of:• - controlling the at least one power die (100a, 100b), the control of the at least one power die (100a, 100b) generating changes in the electrical potential across the ceramic substrate (104), • - obtaining information representative of a mechanical deformation of the ceramic substrate (104), • - determining if a notification indicating the level of damage or the lifetime expectation has to be performed according to the obtained information and reference information, • - notifying the level of damage or the lifetime expectation if the determining step determines that the notification has to be performed.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour estimer un niveau de dégradation ou une espérance de durée de vie d'un module semiconducteur de puissance (10) comprenant au moins une puce (100a, 100b) qui est fixée mécaniquement et électriquement à un substrat (104) en céramique. Le substrat en céramique (104) présente des propriétés piézoélectriques et le procédé comprend les étapes suivantes : commande de l'au moins une puce de puissance (100a, 100b) de manière à générer des modifications dans le potentiel électrique aux bornes du substrat en céramique (104); obtention d'informations représentatives d'une déformation mécanique du substrat en céramique (104); détermination du fait de savoir si une notification indiquant le niveau de dégradation ou l'espérance de durée de vie doit être effectuée conformément aux informations obtenues et à des informations de référence; notification du niveau de dégradation ou de l'espérance de durée de vie si l'étape de détermination détermine que la notification doit être effectuée.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)