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1. (WO2017169291) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF, ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/169291 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006260
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 21.02.2017
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01F 10/14 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8246
Structures de mémoires mortes (ROM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08
caractérisées par les couches magnétiques
10
caractérisées par la composition
12
Métaux ou alliages
14
contenant du fer ou du nickel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08
caractérisées par les couches magnétiques
10
caractérisées par la composition
12
Métaux ou alliages
16
contenant du cobalt
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
内田 裕行 UCHIDA, Hiroyuki; JP
細見 政功 HOSOMI, Masanori; JP
大森 広之 OHMORI, Hiroyuki; JP
別所 和宏 BESSHO, Kazuhiro; JP
肥後 豊 HIGO, Yutaka; JP
Mandataire :
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06732430.03.2016JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MEMORY ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF, ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 磁気抵抗素子、メモリ素子及び電子機器
Abrégé :
(EN) [Problem] To make it possible to further improve the magnetoresistance change rate without deteriorating reliability as an element. [Solution] Provided is a magnetoresistive element that is provided with: a storage layer wherein the magnetization direction changes corresponding to information; a first magnetization fixed layer, which is provided below the storage layer, and which has the magnetization direction perpendicular to a film surface, i.e., reference to the information stored in the storage layer; a second magnetization fixed layer, which is provided above the storage layer, and which has the magnetization direction perpendicular to the film surface, i.e., the reference to the information stored in the storage layer, said magnetization direction being opposite to that of the first magnetization fixed layer; a first intermediate layer that is provided between the first magnetization fixed layer and the storage layer; and a second intermediate layer that is provided between the second magnetization fixed layer and the storage layer. The storage layer is configured by laminating a first magnetic material layer, a non-magnetic material layer, and a second magnetic material layer in this order, and the first magnetic material layer or the second magnetic material layer has the magnetization direction parallel to the film surface.
(FR) Le problème décrit par l'invention est de permettre d'améliorer davantage le taux de variation de magnétorésistance sans détériorer la fiabilité en tant qu'élément. La solution selon l'invention porte sur un élément magnétorésistif qui comprend : une couche de stockage dans laquelle la direction d'aimantation varie en correspondance avec des informations ; une première couche à aimantation fixe, qui est disposée au-dessous de la couche de stockage, et dont la direction d'aimantation est perpendiculaire à une surface de film, c'est-à-dire, une référence aux informations stockées dans la couche de stockage ; une seconde couche à aimantation fixe, qui est disposée au-dessus de la couche de stockage, et dont la direction d'aimantation est perpendiculaire à la surface de film, c'est-à-dire la référence aux informations stockées dans la couche de stockage, ladite direction d'aimantation étant opposée à celle de la première couche à aimantation fixe ; une première couche intermédiaire qui est disposée entre la première couche à aimantation fixe et la couche de stockage ; et une seconde couche intermédiaire qui est disposée entre la seconde couche à aimantation fixe et la couche de stockage. La couche de stockage est configurée par stratification d'une première couche de matériau magnétique, d'une couche de matériau non magnétique et d'une seconde couche de matériau magnétique dans cet ordre, et la direction d'aimantation de la première couche de matériau magnétique ou de la seconde couche de matériau magnétique est parallèle à la surface de film.
(JA) 【課題】素子としての信頼性を損ねることなく、磁気抵抗変化率をより高めることを可能にする。 【解決手段】情報に対応して磁化方向が変化される記憶層と、前記記憶層の下部に設けられ、前記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化方向を有する第1の磁化固定層と、前記記憶層の上部に設けられ、前記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化方向であって前記第1の磁化固定層とは逆向きの磁化方向を有する第2の磁化固定層と、前記第1の磁化固定層と前記記憶層との間に設けられる第1の中間層と、前記第2の磁化固定層と前記記憶層との間に設けられる第2の中間層と、を備え、前記記憶層は、第1の磁性体層と、非磁性体層と、第2の磁性体層と、がこの順に積層されて構成され、前記第1の磁性体層及び前記第2の磁性体層のうちのいずれか一方は、膜面に平行な磁化方向を有する、磁気抵抗素子を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)