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1. (WO2017169162) BATTERIE SECONDAIRE REDOX AU VANADIUM
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N° de publication :    WO/2017/169162    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004786
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H01M 10/36 (2010.01), H01M 2/16 (2006.01), H01M 2/18 (2006.01), H01M 4/58 (2010.01)
Déposants : BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1 Naeshiro-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678561 (JP)
Inventeurs : YOSHIDA, Shigeki; (JP)
Mandataire : KOHNO, Hideto; (JP).
KOHNO, Takao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-066795 29.03.2016 JP
Titre (EN) VANADIUM REDOX SECONDARY BATTERY
(FR) BATTERIE SECONDAIRE REDOX AU VANADIUM
(JA) バナジウムレドックス二次電池
Abrégé : front page image
(EN)A vanadium redox secondary battery (1) comprises: a positive electrode (50) including an active substance which contains vanadium ions or ions containing vanadium; a negative electrode (60) including an active substance which contains vanadium ions or ions containing vanadium; and an ion-permeable diaphragm (7) that separates the positive electrode (50) and the negative electrode (60) and has through holes (70) formed at positions opposing the electrodes (50) and (60).
(FR)Batterie secondaire redox au vanadium (1) comprenant : une électrode positive (50) comprenant une substance active qui contient des ions vanadium ou des ions contenant du vanadium ; une électrode négative (60) comprenant une substance active qui contient des ions vanadium ou des ions contenant du vanadium ; et un diaphragme perméable aux ions (7) qui sépare l'électrode positive (50) et l'électrode négative (60) et comporte des trous traversants (70) formés dans des positions opposées aux électrodes (50) et (60).
(JA)バナジウムレドックス二次電池(1)は、バナジウムイオン又はバナジウムを含むイオンを含有する活物質を含む正の電極(50)と、バナジウムイオン又はバナジウムを含むイオンを含有する活物質を含む負の電極(60)と、前記正の電極(50)及び負の電極(60)を区画し、前記電極(50,60)に対向する位置に貫通孔(70)が設けられたイオン透過性の隔膜(7)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)