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1. (WO2017169155) DISPOSITIF DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE LISIBLE PAR ORDINATEUR SUR LEQUEL EST STOCKÉ UN PROGRAMME DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT
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N° de publication :    WO/2017/169155    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004681
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome,Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : SATO Hideaki; (JP).
KIM Jinhyun; (KR)
Mandataire : UCHINO Yoshihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-069977 31.03.2016 JP
Titre (EN) SUBSTRATE LIQUID PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM HAVING SUBSTRATE LIQUID PROCESSING PROGRAM STORED THEREIN
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE LISIBLE PAR ORDINATEUR SUR LEQUEL EST STOCKÉ UN PROGRAMME DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT
(JA) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a substrate liquid processing method (substrate liquid processing device, storage medium) with which a coating film outside a recess portion can be accurately etched while leaving the coating film in the recess portion of the substrate. [Solution] A substrate liquid processing method for performing an etching process in which an etching liquid for coating film removal is contacted with the surface of a substrate having a recess portion with a coating film formed on the inside and outside thereof, the method comprising: a first coating film removal step of causing the etching liquid to have a first temperature for a first etching rate, and removing the coating film outside the recess portion in a first processing time; and, thereafter, a second coating film removal step of causing the etching liquid to have a second temperature for a second etching rate lower than the first etching rate, and removing the coating film outside the recess portion in a second processing time while leaving the coating film inside the recess portion.
(FR)L'invention a pour but de fournir un procédé de traitement liquide de substrat (dispositif de traitement liquide de substrat, support de stockage) avec lequel il serait possible d'éliminer par gravure, avec précision, un film de revêtement à l'extérieur d'une partie en creux tout en laissant le film de revêtement dans la partie en creux du substrat. Pour atteindre ce but, l'invention porte sur un procédé de traitement liquide de substrat pour exécuter un processus de gravure dans lequel un liquide de gravure pour élimination de film de revêtement est mis en contact avec la surface d'un substrat ayant une partie en creux à l'intérieur et à l'extérieur de laquelle est formé un film de revêtement, le procédé comprenant : une première étape d'élimination de film de revêtement consistant à porter le liquide de gravure à une première température pour une première vitesse de gravure, et à éliminer le film de revêtement à l'extérieur de la partie en creux pendant une première durée de traitement ; puis, une seconde étape d'élimination de film de revêtement consistant à porter le liquide de gravure à une seconde température pour une seconde vitesse de gravure inférieure à la première vitesse de gravure, et à éliminer le film de revêtement à l'extérieur de la partie en creux pendant une seconde durée de traitement tout en laissant le film de revêtement à l'intérieur de la partie en creux.
(JA)【課題】基板の凹部内の被膜を残し、凹部外の被膜を精度よくエッチングすることができる基板液処理方法(基板液処理装置、記憶媒体)を提供すること。 【解決手段】凹部の内部および凹部の外部を覆う被膜が形成された基板の表面に前記被膜を除去するエッチング液を接触させてエッチング処理を行う基板液処理方法において、第1エッチングレートになるよう前記エッチング液を第1の温度にし、第1処理時間で前記凹部外部の前記被膜を除去する第1の被膜除去工程と、次いで、前記第1エッチング量より低い第2エッチングレートになるよう前記エッチング液を第2の温度にし、第2処理時間で前記凹部内部の前記被膜を残し前記凹部外部の前記被膜を除去する第2の被膜除去工程と、を有することにした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)