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1. (WO2017169147) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE

Pub. No.:    WO/2017/169147    International Application No.:    PCT/JP2017/004495
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Feb 09 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/8246
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
H01L 43/10
H01L 43/12
Applicants: SONY CORPORATION
ソニー株式会社
Inventors: SEJIMA, Koichi
瀬島 幸一
Title: ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abstract:
Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un élément de mémoire non volatile comprenant : une première électrode et une seconde électrode, qui sont disposées en regard l'une de l'autre ; une première couche de matériau magnétique et une seconde couche de matériau magnétique, qui sont disposées entre la première électrode et la seconde électrode ; une couche de matériau isolant qui est disposée entre la première couche de matériau magnétique et la seconde couche de matériau magnétique ; et un film d'oxyde de matériau magnétique qui est disposé autour de la première couche de matériau magnétique.