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1. (WO2017169086) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2017/169086    International Application No.:    PCT/JP2017/003750
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Feb 03 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/28
H01L 21/3205
H01L 21/336
H01L 21/76
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 29/12
H01L 29/739
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SUGAHARA Kazuyuki
須賀原 和之
OKABE Hiroaki
岡部 博明
YOSHIDA Motoru
吉田 基
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comporte : une couche semi-conductrice disposée sur un substrat semi-conducteur ; une première région semi-conductrice qui est disposée dans une partie de couche supérieure de la couche semi-conductrice ; une seconde région semi-conductrice qui est disposée dans une partie de couche supérieure de la première région semi-conductrice ; un film isolant de grille ; une électrode de grille ; une première électrode principale, qui est disposée sur un film isolant intercalaire recouvrant l'électrode de grille, et qui est électriquement connectée à la seconde région semi-conductrice par l'intermédiaire d'un trou de contact ; et une seconde électrode principale qui est disposée sur une seconde surface principale du substrat semi-conducteur. La première électrode principale comporte : un film d'électrode de base connecté à la seconde région semi-conductrice par l'intermédiaire du trou de contact ; et un film de cuivre qui est disposé sur le film d'électrode de base, au moins une partie dudit film de cuivre comprenant une couche d'atténuation de contrainte dont la taille de grain cristallin est inférieure aux tailles de grain cristallin d'autres parties du film de cuivre.