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1. (WO2017169085) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2017/169085 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/003712
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 02.02.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
Déposants :
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventeurs :
日吉 透 HIYOSHI, Toru; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-07121731.03.2016JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abrégé :
(EN) This silicon carbide semiconductor device is provided with: a silicon carbide substrate; a first silicon carbide layer which is arranged on the silicon carbide substrate and has a first conductivity type; a second silicon carbide layer which is arranged on the first silicon carbide layer and has the first conductivity type; a third silicon carbide layer which is arranged on the second silicon carbide layer and has a second conductivity type that is different from the first conductivity type; a fourth silicon carbide layer which is arranged on the third silicon carbide layer and has the first conductivity type; and a first impurity region which is formed so as to penetrate the second silicon carbide layer, the third silicon carbide layer and the fourth silicon carbide layer, and which has the second conductivity type. This silicon carbide semiconductor device is provided with a trench which penetrates the fourth silicon carbide layer and the third silicon carbide layer and reaches the second silicon carbide layer. This silicon carbide semiconductor device is also provided with: a gate insulating film which is in contact with a wall of the trench; a gate electrode which is in contact with the gate insulating film and fills the trench; a second impurity region which is arranged below the trench at a distance from the bottom of the trench, and which has the second conductivity type; a third impurity region which is formed below the first impurity region so as to be in contact with the first impurity region and has the second conductivity type, and which is electrically connected to the second impurity region; and a fourth impurity region which is formed between the second impurity region and the third impurity region and has the first conductivity type.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium qui comporte : un substrat en carbure de silicium; une première couche de carbure de silicium qui est agencée sur le substrat en carbure de silicium et a un premier type de conductivité; une seconde couche de carbure de silicium qui est agencée sur la première couche de carbure de silicium et a le premier type de conductivité; une troisième couche de carbure de silicium qui est agencée sur la seconde couche de carbure de silicium et a un second type de conductivité qui est différent du premier type de conductivité; une quatrième couche de carbure de silicium qui est agencée sur la troisième couche de carbure de silicium et a le premier type de conductivité; et une première région d'impureté qui est formée de façon à pénétrer dans la seconde couche de carbure de silicium, la troisième couche de carbure de silicium et la quatrième couche de carbure de silicium, et qui a le second type de conductivité. Ce dispositif semi-conducteur en carbure de silicium comporte une tranchée qui pénètre dans la quatrième couche de carbure de silicium et la troisième couche de carbure de silicium, et atteint la seconde couche de carbure de silicium. Ce dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium comporte également : un film d'isolation de grille qui est en contact avec une paroi de la tranchée; une électrode de grille qui est en contact avec le film d'isolation de grille et remplit la tranchée; une seconde région d'impureté qui est agencée au-dessous de la tranchée à une certaine distance du fond de la tranchée, et qui a le second type de conductivité; une troisième région d'impureté qui est formée au-dessous de la première région d'impureté de façon à être en contact avec la première région d'impureté, et a le second type de conductivité, et qui est électriquement connectée à la deuxième région d'impureté; et une quatrième région d'impureté qui est formée entre la deuxième région d'impureté et la troisième région d'impureté et a le premier type de conductivité.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、炭化珪素基板上に配置され、第1の導電型を有する、第1の炭化珪素層と、第1の炭化珪素層上に配置され、第1の導電型を有する第2の炭化珪素層と、第2の炭化珪素層上に配置され、第1の導電型と異なる第2の導電型を有する、第3の炭化珪素層と、第3の炭化珪素層上に配置され、第1の導電型を有する、第4の炭化珪素層と、第2の炭化珪素層、第3の炭化珪素層および第4の炭化珪素層を貫通するように形成され、第2の導電型を有する第1の不純物領域とを備える。トレンチが、第4の炭化珪素層から第3の炭化珪素層を貫通して第2の炭化珪素層に達するように、炭化珪素半導体装置に形成される。炭化珪素半導体装置は、トレンチの壁に接触したゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接触し、かつ、トレンチに充填されたゲート電極と、トレンチの下方にトレンチの底部から離間して配置され、第2の導電型を有する、第2の不純物領域と、第1の不純物領域に接するように第1の不純物領域の下方に形成され、第2の導電型を有し、かつ、第2の不純物領域に電気的に接続された第3の不純物領域と、第2の不純物領域と第3の不純物領域との間に形成され、第1の導電型を有する第4の不純物領域とを備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)