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1. (WO2017169018) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2017/169018 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/002402
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 24.01.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
中井 仁司 NAKAI, Hitoshi; JP
金松 泰範 KANEMATSU, Yasunori; JP
安藤 幸嗣 ANDO, Koji; JP
岩田 智巳 IWATA, Tomomi; JP
Mandataire :
松阪 正弘 MATSUSAKA, Masahiro; JP
田中 勉 TANAKA, Tsutomu; JP
井田 正道 IDA, Masamichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06512629.03.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, pure water, a liquid mixture, and an organic solvent are sequentially supplied onto a top surface (91) while a substrate (9) rotates at a relatively high rotation speed so that the liquid splashing from the top surface (91) is received by the inner surface of an outside cup part (25) during an outside cup facing state in which the upper end of an inside cup part (24) is disposed lower than the upper end of the outside cup part (25). Next, a filler solution is supplied onto the top surface (91) and the top surface (91) is covered with the filler solution during an inside cup facing state in which the inner surface of the inside cup part (24) is disposed around the substrate (9). Consequently, mixing of the filler solution and the pure water inside the inside cup part (24) is prevented and gelling and the like of the filler solution is also prevented. By supplying the liquid mixture in which the organic solvent and the pure water are mixed, the collapse of pattern elements formed on the top surface (91) is suppressed.
(FR) Selon l'invention, de l'eau pure, un mélange liquide et un solvant organique sont acheminés successivement sur une surface supérieure (91) tandis qu'un substrat (9) tourne à une vitesse de rotation relativement élevée, de sorte que le liquide éclaboussé de la surface supérieure (91) soit reçu par la surface interne d'une partie coupelle extérieure (25) dant un état faisant face à la coupelle extérieure, dans lequel l'extrémité supérieure d'une partie coupelle intérieure (24) est située plus bas que l'extrémité supérieure de la partie coupelle extérieure (25). Ensuite, une solution de remplissage est acheminée sur la surface supérieure (91) et cette dernière (91) est recouverte de la solution de remplissage dant un état faisant face à la coupelle intérieure, dans lequel la surface interne de la partie coupelle intérieure (24) est disposée autour du substrat (9). Ainsi, le mélange de la solution de remplissage et de l'eau pure à l'intérieur de la partie coupelle intérieure (24) est empêché, de même que la gélification de la solution de remplissage et analogue. L'acheminement du mélange liquide dans lequel sont mélangés le solvant organique et l'eau pure permet de supprimer l'effondrement d'éléments de motif formés sur la surface supérieure (91).
(JA) 内側カップ部(24)の上端を外側カップ部(25)の上端よりも下方に配置した外側カップ対向状態において、上面(91)から飛散する液が外側カップ部(25)の内側面により受けられるように基板(9)を比較的高い回転数にて回転しつつ、上面(91)上に純水、混合液および有機溶剤が順次供給される。続いて、内側カップ部(24)の内側面が基板(9)の周囲に配置された内側カップ対向状態において、充填材溶液が上面(91)に供給され、上面(91)上に充填材溶液が充填される。これにより、内側カップ部(24)内にて充填材溶液と純水とが混ざることが防止され、充填材溶液のゲル化等が防止される。有機溶剤と純水とを混合した混合液の供給により、上面(91)に形成されたパターン要素の倒壊が抑制される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)