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1. (WO2017169009) COMPOSITION DE RÉSINE, SON MOTIF DURCI EN RELIEF, ET PROCÉDÉ DESTINÉ À LA FABRICATION D’UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR OU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L’UTILISANT
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N° de publication : WO/2017/169009 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/002286
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 24.01.2017
CIB :
C08L 79/08 (2006.01) ,C08K 5/28 (2006.01) ,C08L 25/18 (2006.01) ,C08L 61/06 (2006.01) ,C08L 79/04 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01)
[IPC code unknown for C08L 79/08][IPC code unknown for C08K 5/28][IPC code unknown for C08L 25/18][IPC code unknown for C08L 61/06][IPC code unknown for C08L 79/04][IPC code unknown for G03F 7/023][IPC code unknown for G03F 7/20][IPC code unknown for H01L 21/312]
Déposants :
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
Inventeurs :
馬場修 BABA, Osamu; JP
早坂惇 HAYASAKA, Makoto; JP
奥田良治 OKUDA, Ryoji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06363928.03.2016JP
Titre (EN) RESIN COMPOSITION, CURED RELIEF PATTERN THEREOF, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELECTRONIC COMPONENT OR SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE, SON MOTIF DURCI EN RELIEF, ET PROCÉDÉ DESTINÉ À LA FABRICATION D’UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR OU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L’UTILISANT
(JA) 樹脂組成物、その硬化レリーフパターン、およびそれを用いた半導体電子部品または半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a resin composition whereby surface roughness in a thin-film formation part can be suppressed and insulation reliability of the thin-film formation part can be maintained, a cured relief pattern of the resin composition, and a method for manufacturing a semiconductor electronic component or semiconductor device using the same. The present invention for achieving the above purpose is configured as follows. Specifically, the present invention is a resin composition containing (a) at least one type of resin selected from an alkali-soluble polyimide, an alkali-soluble polybenzoxazole, an alkali-soluble polyamide imide, and precursors thereof and copolymers thereof, and (b) an alkali-soluble phenol resin, the ratio (Rb/Ra) of the alkali solution velocity (Ra) of the (a) resin and the alkali solution velocity (Rb) of the (b) resin satisfying the relationship 0.5 ≤ Rb/Ra ≤ 2.0. The present invention is also a cured relief pattern of the resin composition, and a method for manufacturing a semiconductor element component or a semiconductor device using the same.
(FR) La présente invention vise à préparer une composition de résine grâce à laquelle la rugosité de surface dans une pièce de formation de film fin peut être supprimée et la fiabilité d’isolation de la pièce de formation de film fin peut être maintenue, un motif durci en relief de la composition de résine, et un procédé de fabrication d’un composant électronique semi-conducteur ou un dispositif semi-conducteur l’utilisant. La présente invention destinée à atteindre le but ci-dessus est configurée comme suit. Spécifiquement, la présente invention est une composition de résine contenant (a) au moins un type de résine sélectionné parmi un polyimide soluble en milieu alcalin, un polybenzoxazole soluble en milieu alcalin, un polyamide imide soluble en milieu alcalin, et leurs précurseurs et leurs copolymères, et (b) une résine phénolique soluble en milieu alcalin, le rapport (Rb/Ra) de la vitesse en solution alcaline (Ra) de la résine (a) et la vitesse en solution alcaline (Rb) de la résine (b) satisfaisant la relation 0,5 ≤ Rb/Ra ≤ 2,0. La présente invention concerne également un motif durci en relief de la composition de résine, et un procédé de fabrication d’un composant élément semi-conducteur ou un dispositif semi-conducteur l’utilisant.
(JA) 本発明は、薄膜形成部における表面荒れを抑制し、薄膜形成部の絶縁信頼性を維持できる樹脂組成物、その硬化レリーフパターン、およびそれを用いた半導体電子部品または半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達成するための本発明の構成は次のとおりである。すなわち、(a)アルカリ可溶性ポリイミド、アルカリ可溶性ポリベンゾオキサゾール、アルカリ可溶性ポリアミドイミド、それらの前駆体およびそれらの共重合体から選択される少なくとも1種類の樹脂、ならびに(b)アルカリ可溶性フェノール樹脂を含有する樹脂組成物であって、前記(a)の樹脂のアルカリ溶解速度(R)と前記(b)の樹脂のアルカリ溶解速度(R)の比(R/R)が0.5≦R/R≦2.0の関係を満たす樹脂組成物である。またその樹脂組成物の硬化レリーフパターン、およびそれを用いた半導体電子部品または半導体装置の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)