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1. (WO2017168992) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2017/168992    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/002044
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 23.01.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Déposants : HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503 (JP)
Inventeurs : TOKUYAMA Takeshi; (JP).
MATSUSHITA Akira; (JP).
SUWA Tokihito; (JP)
Mandataire : TODA Yuji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-067036 30.03.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of deterioration of insulation reliability. A length L2 from a center P of a conductor layer 334 to the periphery of an insulating member 333 is formed longer than a length L1 from the center P of the conductor layer 334 to the periphery of a protruding portion 307a of a base member 307. In other words, a base end surface 308 of the periphery of the protruding portion 307a is positioned further toward the inner side than an insulating member end surface 336 of the periphery of the insulating member 333. Furthermore, the insulating member end surface 336 of the insulating member 333, and a conductor layer end surface 344 of the conductor layer form an end surface at a same position. In such a manner, the base end surface 308 of the periphery of the protruding portion 307a is positioned further toward the inner side than the insulating member end surface 336 of the periphery of the insulating member 333, thereby ensuring insulation distance.
(FR)La présente invention aborde le problème de détérioration de la fiabilité d’isolation. Une longueur (L2) entre un centre (P) d’une couche conductrice (334) et la périphérie d’un organe isolant (333) est formée de manière à être supérieure à une longueur (L1) entre le centre (P) de la couche conductrice (334) à la périphérie d’une partie en saillie (307a) d’un organe de base (307). En d’autres termes, une surface d’extrémité de base (308) de la périphérie de la partie en saillie (307a) est positionnée plus loin vers le côté intérieur qu’une surface d’extrémité d’organe isolant (336) de la périphérie de l’organe isolant (333). En outre, la surface d’extrémité d’organe isolant (336) de l’organe isolant (333), et une surface d’extrémité de couche conductrice (344) de la couche conductrice forment une surface d’extrémité en une même position. D’une telle manière, la surface d’extrémité de base (308) de la périphérie de la partie en saillie (307a) est positionnée plus loin vers le côté intérieur que la surface d’extrémité d’organe isolant (336) de la périphérie de l’organe isolant (333), assurant ainsi la distance d’isolation.
(JA)絶縁の信頼性が低くなるという課題がある。 導体層334の中心Pから絶縁部材333の周縁部までの長さL2は、導体層334の中心Pからベース部材307の突出部307aの周縁部までの長さL1より長く形成されている。換言すると、突出部307aの周縁部のベース端面308は、絶縁部材333の周縁部の絶縁部材端面336よりも内部側に位置している。更に、絶縁部材333の絶縁部材端面336と導体層の導体層端面344は同一位置で端面を形成している。このように、突出部307aの周縁部のベース端面308が、絶縁部材333の周縁部の絶縁部材端面336よりも内部側に位置していることで絶縁距離を確保できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)