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1. (WO2017168906) MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
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N° de publication : WO/2017/168906 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/089114
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.12.2016
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
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Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
Déposants :
三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 1-11-1 Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP
Inventeurs :
寺村 享祐 TERAMURA, Kyosuke; JP
武内 朋哉 TAKEUCHI, Tomoya; JP
Mandataire :
特許業務法人翔和国際特許事務所 SHOWA INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都港区赤坂二丁目5番7号NIKKEN赤坂ビル7階 NIKKEN AKASAKA BLDG., 7F., 5-7, Akasaka 2-chome, Minato-Ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2016-06464128.03.2016JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERING TARGET
(FR) MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリングターゲット材及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット
Abrégé :
(EN) A sputtering target material comprises an oxide of at least one kind of metal selected from a group consisting of In, Ga, Zn, Sn and Al. The surface of said sputtering target material does not have discolored sections of 1000 µm2 area or greater that arise from iron, or if the surface has discolored sections of 1000 µm2 area or greater that arise from iron, the proportion thereof is not more than 0.02 sections/1200 cm2. Said sputtering target material is suitably manufactured by a method comprising at least one magnetic separation step in the manufacturing process.
(FR) L'invention porte sur un matériau cible de pulvérisation cathodique qui comprend un oxyde d'au moins un type de métal choisi dans un groupe constitué d'In, Ga, Zn, Sn et Al. La surface dudit matériau cible de pulvérisation cathodique ne présente pas de zones décolorées d'une surface supérieure ou égale à 1000 µm2 dues au fer, ou, si la surface comporte des zones décolorées de 1000 µm2 ou plus dues au fer, la proportion de ces dernières n'est pas supérieure à 0,02 zones pour 1200 cm2. Ledit matériau cible de pulvérisation cathodique est fabriqué de manière appropriée par un procédé comprenant au moins une étape de séparation magnétique dans le processus de fabrication.
(JA) スパッタリングターゲット材は、In、Ga、Zn、Sn及びAlからなる群から選択される少なくとも1種の酸化物を含む。このスパッタリングターゲット材は、鉄に由来する、面積1000μm以上の変色部を表面に有さないか、又は鉄に由来する、面積1000μm以上の変色部を表面に有する場合には、その割合が0.02個/1200cm以下である。このスパッタリングターゲット材は、その製造工程に少なくとも1度の磁選工程を含む方法で好適に製造される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)