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1. (WO2017168871) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRANSFERT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2017/168871 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/087444
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 15.12.2016
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,B23K 26/38 (2014.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
36
Enlèvement de matière
38
par perçage ou découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants : NITTO DENKO CORPORATION[JP/JP]; 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
Inventeurs : MATSUSHITA Takao; JP
YAMAMOTO Masayuki; JP
Mandataire : SUGITANI Tsutomu; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06629129.03.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND SUBSTRATE TRANSFER DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRANSFERT DE SUBSTRAT
(JA) 基板転写方法および基板転写装置
Abrégé :
(EN) In the present invention a mounting frame MF1 is held in a state in which an adhesive tape T1 is placed on the upper surface thereof, and an adhesive tape T1 is peeled away from a ring frame f and a wafer W. After the adhesive tape T1 is peeled away a new adhesive tape T2 is attached across the upper surfaces of the wafer W and the ring frame. Thus, by means of a single transfer operation it is possible to complete a transfer from the adhesive tape T1 to the adhesive tape T2 for the same surface of the wafer W, so the operation of transferring for the same surface of the wafer W to an adhesive tape having a different characteristic can be achieved by a simpler process.
(FR) La présente invention a trait à un procédé de transfert de substrat et à un dispositif de transfert de substrat. Dans la présente invention, un cadre de montage (MF1) est maintenu dans un état dans lequel une bande adhésive T1 est placée sur la surface supérieure dudit cadre de montage, et la bande adhésive T1 est décollée d'un cadre annulaire (f) et d'une tranche (W). Après que la bande adhésive T1 a été décollée, une nouvelle bande adhésive T2 est fixée sur l'ensemble des surfaces supérieures de la tranche (W) et du cadre annulaire. Ainsi, au moyen d'une seule opération de transfert, il est possible de réaliser un transfert de la bande adhésive T1 à la bande adhésive T2 pour la même surface de la tranche (W), si bien que l'opération de transfert, pour la même surface de la tranche (W), à une bande adhésive présentant une caractéristique différente, peut être réalisée par un processus plus simple.
(JA) 粘着テープT1を上面側にした状態でマウントフレームMF1を保持し、リングフレームfおよびウエハWから粘着テープT1を剥離する。粘着テープT1を剥離した後、ウエハWとリングフレームとの上面にわたって新たな粘着テープT2を貼り付ける。1回の転写操作によって、ウエハWの同じ面に対して粘着テープT1から粘着テープT2への転写が完了するので、ウエハWの同一面に対して異なる特性の粘着テープへの転写を行う操作を、より単純な工程によって実現できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)