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1. (WO2017168756) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/168756 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/060953
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
中田 洋輔 NAKATA, Yosuke; JP
川瀬 達也 KAWASE, Tatsuya; JP
石原 三紀夫 ISHIHARA, Mikio; JP
宮本 昇 MIYAMOTO, Noboru; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor apparatus (100) easily attachable to a cooler and capable of achieving uniform heat dissipation is provided with: a substrate material (1); a semiconductor element (3); and a terminal (5). The substrate material (1) includes: an insulating substrate (10); first and second conductor substrates (11 and 12) which are arranged having a space therebetween on one main surface (10A) of the insulating substrate (10); and a third conductor substrate (13) arranged on the other main surface (10B) opposite to the main surface (10A) of the insulating substrate (10). The semiconductor element (3) is connected to the first conductor substrate (11) on the side opposite to the insulating substrate (10). The terminal (5) is connected to the semiconductor element (3) on the side opposite to the first conductor substrate (11). The terminal (5) extends from a region above the semiconductor element (3) to a region above the second conductor substrate (12), and is connected to the second conductor substrate (12). At least a part of the terminal (5), the substrate material (1), and the semiconductor element (3) are sealed with a resin (9), and the third conductor substrate (13) is exposed from the resin (9).
(FR) L'invention concerne un appareil à semi-conducteur (100) pouvant être facilement fixé à un refroidisseur et capable d'effectuer une dissipation de chaleur uniforme, lequel comprend: un matériau de substrat (1); un élément semi-conducteur (3); et une borne (5). Le matériau de substrat (1) comprend : un substrat isolant (10); des premier et second substrats conducteurs (11 et 12) qui sont agencés en étant séparés par un espace sur une surface principale (10A) du substrat isolant (10); et un troisième substrat conducteur (13) disposé sur l'autre surface principale (10B) opposée à la surface principale (10A) du substrat isolant (10). L'élément semi-conducteur (3) est relié au premier substrat conducteur (11) sur le côté opposé au substrat isolant (10). La borne (5) est connectée à l'élément semi-conducteur (3) sur le côté opposé au premier substrat conducteur (11). La borne (5) s'étend d'une région située au-dessus de l'élément semi-conducteur (3) jusqu'à une région située au-dessus du second substrat conducteur (12), et est connectée au second substrat conducteur (12). Au moins une partie de la borne (5), du matériau de substrat (1) et de l'élément semi-conducteur (3) sont scellées avec une résine (9), et le troisième substrat conducteur (13) est exposé depuis la résine (9).
(JA) 均一な放熱性が得られるとともに、容易に冷却器への取り付けが可能な半導体装置(100)は、基板材(1)と、半導体素子(3)と、端子(5)とを備えている。基板材(1)は、絶縁基板(10)と、絶縁基板(10)の一方の主表面(10A)上に互いに間隔をあけて配置された第1および第2の導体基板(11,12)と、絶縁基板(10)の一方の主表面(10A)と反対側の他方の主表面(10B)上に配置された第3の導体基板(13)とを含む。半導体素子(3)は、第1の導体基板(11)の絶縁基板(10)と反対側に接続される。端子(5)は、半導体素子(3)の第1の導体基板(11)と反対側に接続される。端子(5)は半導体素子(3)上の領域から第2の導体基板(12)の上の領域まで延びるとともに、第2の導体基板(12)と接続されている。基板材(1)、半導体素子(3)および端子(5)の少なくとも一部は樹脂(9)により封止される。第3の導体基板(13)は樹脂(9)から露出している。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)