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1. (WO2017168735) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2017/168735    International Application No.:    PCT/JP2016/060857
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: ARAI, Daisuke
新井 大輔
KITADA, Mizue
北田 瑞枝
ASADA, Takeshi
浅田 毅
YAMAGUCHI, Takeshi
山口 武司
SUZUKI, Noriaki
鈴木 教章
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs de puissance 100 comportant une structure à super-jonction, et doté d'une couche semi-conductrice de faible résistance 112; d'une région de colonne de type n – 113; d'une région de colonne de type p– 115; d'une région de base 116; d'une tranchée 118; d'un film d'isolation de grille 120; d'une électrode de grille 122; d'une région de source 124; d'un film d'isolation intercouche 126; d'une fenêtre de contact 128; d'une fiche métallique; d'une région de diffusion de type p+ 132; d'une électrode de source 134; et d'une électrode de pastille de grille 135. Une partie de composant actif R1 est dotée d'une région de colonne de type n –113B entre une région de colonne de type p– prescrite 115A la plus proche d'une pastille de grille R2, et d'une région de colonne de type n– prescrite 113A en contact avec la tranchée 118, et la plus proche parmi les régions de colonne de type n– 113 à la partie de pastille de grille R2. Ce dispositif à semi-conducteurs de puissance satisfait la demande pour un coût inférieur et une taille plus petite, est apte à réduire la résistance à l'état passant tout en maintenant une tension de tenue élevée, et possède une quantité élevée de résistance au claquage.