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1. (WO2017168735) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE
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N° de publication :    WO/2017/168735    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/060857
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : ARAI, Daisuke; (JP).
KITADA, Mizue; (JP).
ASADA, Takeshi; (JP).
YAMAGUCHI, Takeshi; (JP).
SUZUKI, Noriaki; (JP)
Mandataire : MATSUO, Nobutaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体装置及びパワー半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This power semiconductor device 100 has a super junction structure, and is provided with a low resistance semiconductor layer 112; an n-type column region 113; a p-type column region 115; a base region 116; a trench 118; a gate-insulating film 120; a gate electrode 122; a source region 124; an interlayer insulation film 126; a contact hole 128; a metal plug 130; a p+-type diffusion region 132; a source electrode 134; and a gate pad electrode 135. An active element part R1 is provided with an n-type column region 113B between a prescribed p type column region 115A closest to a gate pad R2, and a prescribed n-type column region 113A in contact with the trench 118, and closest among the n-type column regions 113 to the gate pad part R2. This power semiconductor device meets the demand for lower cost and smaller size, is able to reduce on-resistance while maintaining high withstand voltage, and has a high amount of breakdown resistance.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs de puissance 100 comportant une structure à super-jonction, et doté d'une couche semi-conductrice de faible résistance 112; d'une région de colonne de type n 113; d'une région de colonne de type p 115; d'une région de base 116; d'une tranchée 118; d'un film d'isolation de grille 120; d'une électrode de grille 122; d'une région de source 124; d'un film d'isolation intercouche 126; d'une fenêtre de contact 128; d'une fiche métallique; d'une région de diffusion de type p+ 132; d'une électrode de source 134; et d'une électrode de pastille de grille 135. Une partie de composant actif R1 est dotée d'une région de colonne de type n 113B entre une région de colonne de type p prescrite 115A la plus proche d'une pastille de grille R2, et d'une région de colonne de type n prescrite 113A en contact avec la tranchée 118, et la plus proche parmi les régions de colonne de type n 113 à la partie de pastille de grille R2. Ce dispositif à semi-conducteurs de puissance satisfait la demande pour un coût inférieur et une taille plus petite, est apte à réduire la résistance à l'état passant tout en maintenant une tension de tenue élevée, et possède une quantité élevée de résistance au claquage.
(JA)本発明のパワー半導体装置100は、スーパージャンクション構造を有し、低抵抗半導体層112、n型コラム領域113、p型コラム領域115、ベース領域116、トレンチ118、ゲート絶縁膜120、ゲート電極122、ソース領域124、層間絶縁膜126、コンタクトホール128、金属プラグ130、p型拡散領域132、ソース電極134及びゲートパッド電極135を備え、能動素子部R1は、ゲートパッド部R2に最も近い所定のp型コラム領域115Aと、トレンチ118と接触しているn型コラム領域113のうちゲートパッド部R2に最も近い所定のn型コラム領域113Aとの間に、n型コラム領域113Bを備える。 本発明のパワー半導体装置は、低コスト化及び小型化の要請を満たし、高い耐圧を維持しながらオン抵抗を下げることができ、かつ、破壊耐量の大きなパワー半導体装置となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)