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1. (WO2017168733) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2017/168733    International Application No.:    PCT/JP2016/060855
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: OHTANI, Kinya
大谷 欣也
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs qui comprend les étapes suivantes, qui sont réalisées dans l'ordre donné : une étape de préparation de substrat semi-conducteur ; une étape de formation de première tranchée ; une étape de formation de premier film d'isolation dans laquelle un premier film d'isolation (126a) est formé ; une étape de formation de film d'isolation de grille ; une étape de formation d'électrode de grille ; une étape de formation de seconde tranchée dans laquelle une partie centrale du premier film d'isolation (126a) est éliminée, et une seconde tranchée (140) est formée dans une première tranchée (116) ; une étape de formation de second film d'isolation dans laquelle un second film d'isolation (126b) est formé à l'intérieur de la seconde tranchée (140) à condition qu'un espace (122) reste dans la seconde tranchée ; une étape de formation d'électrode de blindage dans laquelle une électrode de blindage (124) est formée dans l'espace (122) ; et une étape de formation d'électrode de source dans laquelle une électrode de source est formée. Selon ce procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs, une étape de connexion de l'électrode de blindage et de l'électrode de source peut être simplifiée, et un dispositif à semi-conducteurs peut être produit avec un degré élevé de liberté de conception.