Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017168594) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ÉCRAN D'AFFICHAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2017/168594    International Application No.:    PCT/JP2016/060253
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Mar 30 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
Applicants: SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION
堺ディスプレイプロダクト株式会社
Inventors: MICHINAKA, Satoshi
道中 悟志
UTSUGI, Satoru
宇津木 覚
NODERA, Nobutake
野寺 伸武
MATSUMOTO, Takao
松本 隆夫
KOBAYASHI, Kazuki
小林 和樹
OKETANI Taimi
桶谷 大亥
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ÉCRAN D'AFFICHAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Abstract:
L'invention concerne : un transistor à couches minces permettant d'améliorer la stabilité optique ; un écran d'affichage qui est pourvu du transistor à couches minces ; et un procédé de fabrication du transistor à couches minces. Le transistor à couches minces de la présente invention comporte : un film d'électrode de grille formé sur la surface avant d'un substrat ; un film d'oxyde semi-conducteur amorphe formé sur le côté supérieur du film d'électrode de grille ; des premier et second films d'oxyde semi-conducteur à faible résistance formés avec le film d'oxyde semi-conducteur amorphe intercalé entre eux ; un film d'électrode de source formé sur le premier film d'oxyde semi-conducteur à faible résistance ; et un film d'électrode de drain formé sur le second film d'oxyde semi-conducteur à faible résistance. Le film d'oxyde semi-conducteur amorphe est disposé dans une région correspondant au film d'électrode de grille dans un état de projection dans lequel le film d'électrode de grille et le film d'oxyde semi-conducteur amorphe sont projetés sur la surface avant du substrat.