WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017168283) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE COMPOSITE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT LEDIT SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE COMPOSITE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE COMPORTANT LEDIT DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/168283    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/051614
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 21.03.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C01G 15/00 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-074398 01.04.2016 JP
Titre (EN) COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, AND DISPLAY DEVICE HAVING SAID SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE COMPOSITE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT LEDIT SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE COMPOSITE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE COMPORTANT LEDIT DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 複合酸化物半導体、当該複合酸化物半導体を用いた半導体装置、当該半導体装置を有する表示装置
Abrégé : front page image
(EN)A novel composite oxide semiconductor is provided which can be used in a transistor having an oxide semiconductor film. This composite oxide semiconductor includes both first regions and second regions, wherein the first regions comprise multiple first clusters having In and oxygen as the main component, and the second regions comprise multiple second clusters having Zn and oxygen as the main component, the first clusters each having a portion connected to each other and the second clusters each having a portion connected to each other.
(FR)L'invention concerne un nouveau semi-conducteur à oxyde composite qui peut être utilisé dans un transistor ayant un film semi-conducteur à oxyde. Ce semi-conducteur à oxyde composite comprend à la fois des premières régions et des secondes régions, les premières régions comprenant de multiples premiers groupes ayant In et de l'oxygène en tant que composant principal, et les secondes régions comprenant de multiples seconds groupes ayant Zn et de l'oxygène en tant que composant principal, les premiers groupes ayant chacun une partie reliée les uns aux autres et les seconds groupes ayant chacun une partie reliée les uns aux autres.
(JA)要約書 酸化物半導体膜を有するトランジスタに用いることのできる、新規な複合酸化物半導体を提供する。 第1の領域と、第2の領域と、が混在した複合酸化物半導体であって、第1の領域は、Inと、酸素 と、を主成分とする複数の第1のクラスタを有し、第2の領域は、Znと、酸素と、を主成分とする 複数の第2のクラスタを有し、 複数の第1のクラスタは、 それぞれ互いに繋がる部分を有し、 複数の 第2のクラスタは、それぞれ互いに繋がる部分を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)