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1. (WO2017168259) DISPOSITIF AMPLIFICATEUR OPTIQUE À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
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N° de publication : WO/2017/168259 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/000603
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 21.03.2017
CIB :
H01S 5/0683 (2006.01) ,H01S 5/50 (2006.01) ,H04B 10/291 (2013.01) ,H01S 5/00 (2006.01) ,H01S 5/0625 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01) ,H04B 10/294 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
068
Stabilisation des paramètres de sortie du laser
0683
en surveillant les paramètres optiques de sortie
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
50
Structures amplificatrices non prévues dans les groupes H01S5/02-H01S5/30108
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
10
Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques
29
Répéteurs
291
dans lesquels le traitement ou l’amplification est effectuée sans conversion de la forme optique du signal
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
062
en faisant varier le potentiel des électrodes
0625
dans des lasers à plusieurs sections
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026
Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
10
Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques
29
Répéteurs
291
dans lesquels le traitement ou l’amplification est effectuée sans conversion de la forme optique du signal
293
Commande de la puissance du signal
294
dans un système à plusieurs longueurs d’onde, p.ex. égalisation du gain
Déposants :
ALCATEL LUCENT [FR/FR]; 148/152 route de la Reine 92100 Boulogne-Billancourt, FR
Inventeurs :
SUN, Xiao; CN
GAO, Zhensen; CN
Mandataire :
SARUP, David Alexander; GB
Données relatives à la priorité :
201610183621.728.03.2016CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER DEVICE AND METHOD OF OPERATING IT
(FR) DISPOSITIF AMPLIFICATEUR OPTIQUE À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
Abrégé :
(EN) An objective of the present invention is to provide a semiconductor optical amplifier (SOA) device, and a method of operating the SOA device. semiconductor optical amplifier (SOA) device, comprising: a semiconductor optical amplifier having a semiconductor substrate with an optical amplifier waveguide therein and a sequence of drive electrodes being located over a surface of aforesaid semiconductor substrate, aforesaid sequence extending along a light propagation direction in aforesaid optical amplifier waveguide; a light detector connected to measure a power of signal light input to aforesaid semiconductor optical amplifier; an electronic controller configured to inject currents into said sequence of drive electrodes based on aforesaid power measurement by the light detector. Compared with the prior art of an SOA device generally having one driving electrode, the present invention has the following advantages: by adjusting the magnitudes of currents injected into respective driving electrodes of the semiconductor optical amplifier, the solution of the present invention can increase the linear amplification region, thereby performing error-free signal amplification within a greater reception power range, which further avoids distortion of signal transmission.
(FR) Un objectif de la présente invention est de réaliser un dispositif amplificateur optique à semiconducteur (SOA), et un procédé de fonctionnement du dispositif SOA. Le dispositif amplificateur optique à semiconducteur (SOA) selon l'invention comprend : un amplificateur optique à semiconducteur doté d'un substrat en semiconducteur dans lequel se trouve un guide d'onde d'amplificateur optique et une séquence d'électrodes d'attaque disposées sur une surface dudit substrat en semiconducteur, ladite séquence s'étendant le long d'une direction de propagation de la lumière dans ledit guide d'ondes d'amplificateur optique ; un détecteur de lumière connecté pour mesurer une puissance lumineuse d'un signal appliqué à l'entrée dudit amplificateur optique à semiconducteur ; un contrôleur électronique configuré pour injecter des courants dans ladite séquence d'électrodes d'attaque sur la base de ladite mesure de puissance par le détecteur de lumière. En comparaison de l'état de la technique d'un dispositif SOA généralement pourvu d'une électrode d'attaque, la présente invention présente les avantages suivants : en ajustant les amplitudes des courants injectés dans des électrodes d'attaque respectives de l'amplificateur optique à semiconducteur, la solution selon la présente invention permet d'accroître la région d'amplification linéaire, réalisant ainsi une amplification de signal sans erreur dans une plage de puissance de réception plus grande, ce qui évite en outre la distorsion de l'émission du signal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)