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1. (WO2017167923) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT POUR APPLICATIONS RF
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N° de publication :    WO/2017/167923    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/057614
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin Des Franques 38190 Bernin (FR)
Inventeurs : CASTEX, Arnaud; (FR).
KONONCHUK, Oleg; (FR)
Mandataire : GRÜNECKER PATENT- UND RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Leopoldstrasse 4 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
1652782 31.03.2016 FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ON INSULATOR SUBSTRATE FOR RF APPLICATIONS
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT POUR APPLICATIONS RF
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor on insulator substrate (1) for use in RF applications, in particular a silicon on insulator substrate, comprising a semiconductor top layer (11), a buried oxide layer (9) and a passivation layer (7) over a silicon support substrate (3) and a corresponding method. The invention also relates to an RF device (17). In addition a penetration layer (5) is introduced between the passivation layer (7) and the silicon support substrate (3) to ensure sufficient high resistivity of underneath RF features while dislocation movements in the support substrate (3) can be kept low.
(FR)La présente invention concerne un substrat semi-conducteur sur isolant (1) destiné à être utilisé dans des applications RF, en particulier un substrat de silicium sur isolant, comportant une couche semi-conductrice supérieure (11), une couche d'oxyde enterrée (9) et une couche de passivation (7) sur un substrat de support en silicium (3) ainsi qu'un procédé correspondant. L'invention concerne également un dispositif radiofréquence (17). En outre, une couche de pénétration (5) est introduite entre la couche de passivation (7) et le substrat de support en silicium (3) afin d'assurer une résistivité élevée suffisante des caractéristiques RF sous-jacentes tandis que les mouvements de dislocation dans le substrat de support (3) peuvent être maintenus à un faible niveau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)