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1. (WO2017167867) PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE STRUCTURATION D’UNE PLAQUETTE DE SILICIUM ET CELLULE SOLAIRE
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N° de publication : WO/2017/167867 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/057524
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/036 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0236
Textures de surface particulières
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036
caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG [DE/DE]; Akademiestrasse 6 09599 Freiberg, DE
Inventeurs :
STAPF, André; DE
GONDEK, Christoph; DE
HONEIT, Florian; DE
KROKE, Edwin; DE
Mandataire :
VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB; Am Brauhaus 8 01099 Dresden, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 105 866.131.03.2016DE
Titre (EN) SILICON WAFER, METHOD FOR STRUCTURING A SILICON WAFER AND SOLAR CELL
(FR) PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE STRUCTURATION D’UNE PLAQUETTE DE SILICIUM ET CELLULE SOLAIRE
(DE) SILIZIUMWAFER, VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN EINES SILIZIUMWAFERS UND SOLARZELLE
Abrégé :
(EN) According to various embodiments, a silicon wafer (202) is provided, which has a 100-oriented surface (202a), wherein the surface (202a) has a surface structure (204) of a plurality of randomly distributed recesses, said recesses having a polyhedral shape.
(FR) Selon divers modes de réalisation, l’invention concerne une plaquette de silicium (202) qui présente une surface (202a) orientée { 100 }, laquelle surface (202a) présente une structure superficielle (204) constituée d’une pluralité de cavités réparties aléatoirement, ces cavités étant de forme polyédrique.
(DE) Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Siliziumwafer (202) bereitgestellt, welcher eine { 100 } -orientierte Oberfläche (202a) aufweist, wobei die Oberfläche (202a) eine Oberflächenstruktur (204) aus einer Vielzahl von zufällig verteilten Vertiefungen aufweist, wobei die Vertiefungen polyederförmig sind.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)