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1. (WO2017167797) SOLUTION ET PROCÉDÉ DE GRAVURE CHIMIQUE DE MATÉRIAUX À BASE DE TITANE
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N° de publication : WO/2017/167797 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/057388
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 29.03.2017
CIB :
C23F 1/38 (2006.01) ,C09K 13/02 (2006.01) ,C11D 11/00 (2006.01) ,C23G 1/20 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H05K 3/06 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1
Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
10
Compositions de décapage
14
Compositions aqueuses
32
Compositions alcalines
38
pour les métaux réfractaires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
13
Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
02
contenant un hydroxyde d'un métal alcalin
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
11
Méthodes particulières pour la préparation de compositions contenant des mélanges de détergents
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
G
NETTOYAGE OU DÉGRAISSAGE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DES PROCÉDÉS CHIMIQUES NON ÉLECTROLYTIQUES
1
Nettoyage ou décapage de matériaux métalliques au moyen de solutions ou de sels fondus
14
avec des solutions alcalines
20
Autres métaux lourds
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
02
dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
06
Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
Déposants :
TECHNIC FRANCE [FR/FR]; 15 RUE DE LA MONTJOIE ANGLE DU 4 IMP DE LA MONTJOIE 93200 SAINT DENIS, FR
Inventeurs :
PIZZETTI, Christian; FR
CAZES, Marine; FR
DAVIOT, Jérôme; FR
VERNIN, Philippe; FR
Mandataire :
REGIMBEAU; 139 Rue Vendôme 69477 Lyon cedex 06, FR
Données relatives à la priorité :
16305360.629.03.2016EP
Titre (EN) SOLUTION AND METHOD FOR ETCHING TITANIUM BASED MATERIALS
(FR) SOLUTION ET PROCÉDÉ DE GRAVURE CHIMIQUE DE MATÉRIAUX À BASE DE TITANE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a solution for etching titanium based materials, comprising from about 27w% to about 39w% hydrogen peroxide, from about 0.2w% to about 0.5w% potassium hydroxide, and at about 0.002 w% to about 0.02 w% 1,2-Diaminocyclohexane-N,N,N,N Tetra acetic Acid (CDTA), the rest being water, said solution comprising no corrosion inhibitor, and said solution having a pH comprised between about 7 and about 8. The invention further relates to a chemical composition for preparing such a solution by mixing said composition with concentrated hydrogen peroxide, said chemical composition comprising potassium hydroxide from about 5w% to about 30w%, C.D.T.A. at a concentration ranging from about 1% to about 5% of the potassium hydroxide concentration, the rest being water. The invention also relates to a method of etching a Titanium, Titanium nitride or Titanium Tungsten barrier layer from a microelectronic device, said method comprising contacting the Titanium, Titanium nitride or Titanium tungsten barrier layer with the solution for a time sufficient to remove the Titanium, Titanium nitride or Titanium tungsten barrier layer.
(FR) L'invention concerne une solution pour la gravure chimique de matériaux à base de titane, la solution comprenant d'environ 27 % en poids à environ 39 % en poids de peroxyde d'hydrogène, d'environ 0,2 % en poids à environ 0,5 % en poids d'hydroxyde de potassium et d'environ 0,002 % en poids à environ 0,02 % en poids d'acide 1,2-diaminocyclohexane-N,N,N,N-tétraacétique (CDTA), le reste étant de l'eau. Ladite solution ne comprend pas d'inhibiteur de corrosion et son pH est compris entre environ 7 et environ 8. L'invention concerne en outre une composition chimique pour préparer une telle solution par mélange de ladite composition avec du peroxyde d'hydrogène concentré, ladite composition chimique comprenant d'environ 5 % en poids à environ 30 % en poids d'hydroxyde de potassium, du CDTA à une concentration allant d'environ 1 % à environ 5 % de la concentration d'hydroxyde de potassium, le reste étant de l'eau. L'invention concerne également un procédé de gravure chimique d'une couche barrière en titane, nitrure de titane ou titane-tungstène sur un dispositif microélectronique, ledit procédé comprenant la mise en contact de la couche barrière en titane, nitrure de titane ou titane-tungstène avec la solution pendant une durée suffisante pour éliminer la couche barrière en titane, nitrure de titane ou de titane-tungstène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)