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1. (WO2017167792) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN GRAND NOMBRE DE PUCES DE SEMI-CONDUCTEUR, PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE ÉQUIPÉ D’UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/167792 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/057378
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 29.03.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64
Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
54
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
RICHTER, Daniel; DE
WAGNER, Konrad; DE
Mandataire :
SCHINKINGER, Stefan; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 205 308.631.03.2016DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR CHIPS, SUCH A SEMICONDUCTOR CHIP, AND MODULE COMPRISING SUCH A SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN GRAND NOMBRE DE PUCES DE SEMI-CONDUCTEUR, PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE ÉQUIPÉ D’UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS, SOLCHER HALBLEITERCHIP UND MODUL MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERCHIP
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing a plurality of semiconductor chips (10), to such a semiconductor chip (10), and to a module (100) comprising such a semiconductor chip. The method has the following steps: - providing an assembly (12) comprising a support (1) and a semiconductor body (2), - forming a plurality of recesses (4) in the assembly (12), wherein a part of the support (1) is removed in the region of the recesses (4), - at least partly filling the recesses (4) with an electrically conductive contact material (6), and - separating the assembly (12) along a plurality of separation lines (11) in order to form the plurality of semiconductor chips (10), said separation be carried out in some areas using the electrically conductive contact material (6).
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un grand nombre de puces de semi-conducteur (10), une puce de semi-conducteur et un module équipé d’une puce de semi-conducteur. Le procédé comprend les étapes consistant à : - produire un ensemble (12) comprenant un support (1) et un corps de semi-conducteur (2), - former une pluralité d’évidements (4) dans l’ensemble (12), une partie du support (1) étant retirée au niveau des évidements (4), - remplir au moins partiellement les évidements (4) avec une matière de contact (6) et - séparer l’ensemble (12) le long d’une pluralité de lignes de séparation (11) ménagées dans la pluralité de puces de semi-conducteur (10), la séparation se faisant par endroits à travers la matière de contact (6) électriquement conductrice.
(DE) Es werden ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), ein solcher Halbleiterchip (10) und ein Modul (100) mit einem solchen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst dabei die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Anordnung (12) umfassend einen Träger (1) und einen Halbleiterkörper (2), - Ausbilden einer Vielzahl von Ausnehmungen (4) in der Anordnung (12), wobei im Bereich der Ausnehmungen (4) ein Teil des Trägers (1) entfernt wird, - zumindest teilweises Befüllen der Ausnehmungen (4) mit einem elektrisch leitenden Kontaktmaterial (6), und - Trennen der Anordnung (12) entlang einer Vielzahl von Trennlinien (11) in die Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei das Trennen stellenweise durch das elektrisch leitende Kontaktmaterial (6) erfolgt.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)