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1. (WO2017167190) PLAQUETTE ÉPITAXIQUE DE DEL À BASE DE SUBSTRAT DE SI GRAPHIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2017/167190 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/078475
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2017
CIB :
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
Déposants :
苏州晶湛半导体有限公司 ENKRIS SEMICONDUCTOR, INC [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢(NW-20幢)517-A室 Room 517A, NW-20, 99 Jinji Lake Avenue, Suzhou Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventeurs :
张丽旸 ZHANG, Liyang; CN
程凯 CHENG, Kai; CN
Mandataire :
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) CHOFN INTELLECTUAL PROPERTY; 中国北京市 海淀区北四环西路68号左岸工社12层1215-1218室 Room 1215-1218, Floor 12 Left Bank Community No.68 Beisihuanxilu, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201610187818.829.03.2016CN
Titre (EN) GRAPHICAL SI SUBSTRATE-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) PLAQUETTE ÉPITAXIQUE DE DEL À BASE DE SUBSTRAT DE SI GRAPHIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法
Abrégé :
(EN) An graphical Si substrate-based LED epitaxial wafer and a preparation method therefor, the LED epitaxial wafer comprising: a graphical Si substrate (1) and an Al2O3 coating (2) growing on the graphical Si substrate (1); sequentially growing on the Al2O3 coating (2) are a nucleating layer (3), a first buffer layer (4), a first insert layer (5), a second buffer layer (6), a second insert layer (7), an n-GaN layer (8), a quantum well layer (9), a p-GaN layer (10), an n-electrode (14) electrically connected to the n-GaN layer and a p-electrode (13) electrically connected to the p-GaN layer. The present invention is suitable for the preparation of large-size LED epitaxial wafers. Furthermore, the crystal quality is improved, and the light extraction efficiency of the LED die is improved.
(FR) L’invention concerne une plaquette épitaxique de DEL à base de substrat de Si graphique et son procédé de préparation, la plaquette épitaxique de DEL comprenant : un substrat de Si graphique (1) et un revêtement d’Al2O3 (2) croissant sur le substrat de Si graphique (1) ; sur le revêtement d’Al2O3 (2) croissant séquentiellement une couche de nucléation (3), une première couche tampon (4), une première couche d’insertion (5), une deuxième couche tampon (6), une deuxième couche d’insertion (7), une couche de GaN de type n (8), une couche de puits quantique (9), une couche de GaN de type p (10), une électrode de type n (14) connectée électriquement à la couche de GaN de type N et une électrode de type p (13) connectée électriquement à la couche de GaN de type p. La présente invention convient à la préparation de plaquettes épitaxiques à DEL de grande taille. En outre, la qualité de cristal est améliorée, et le rendement d’extraction de lumière de la puce de DEL est amélioré.
(ZH) 一种基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法,LED外延片包括:图形化Si衬底(1)、生长在图形化Si衬底(1)上的Al 2O 3涂层(2);在Al 2O 3涂层(2)上依次生长出成核层(3)、第一缓冲层(4)、第一插入层(5)、第二缓冲层(6)、第二插入层(7)、n-GaN层(8)、量子阱层(9)、p-GaN层(10)、与n-GaN层电连接的n电极(14)、以及与p-GaN层电连接的p电极(13)。适用于制备大尺寸的LED外延片,且晶体质量提高,LED管芯的光提取效率提升。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)