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1. (WO2017166833) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2017/166833 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/107172
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 25.11.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
ZHANG, Huijuan; CN
LIU, Chienhung; CN
Mandataire :
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201610189104.029.03.2016CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abrégé :
(EN) The present disclosure provides a method for manufacturing a thin-film transistor and a thin-film transistor manufactured thereby, an array substrate and a display apparatus. The method comprises: forming a first layer; forming at least one etch stopper over the first layer; forming a second layer over the first layer and the at least one etch stopper; forming at least one contact via in the second layer, such that a bottom opening of each contact via contacts with a top surface of one etch stopper; and forming at least one electrode in the at least one contact via, such that each electrode extends in one contact via respectively, and is in contact with, and electrically coupled with, the one etch stopper. The at least one etch stopper comprises a composition. The composition is capable of blocking etching to the first layer during formation of the at least one contact via in the second layer; and the composition also has one of the following characteristics: an oxidization product of the composition is readily removable by a solution; an oxidization product is conductive; or the composition is resistant to oxidization.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces et un transistor à couches minces ainsi fabriqué, un substrat de réseau et un appareil d'affichage. Le procédé consiste à : former une première couche; former au moins une butée de gravure sur la première couche; former une seconde couche sur la première couche et la ou les butées de gravure; former au moins un trou d'interconnexion de contact dans la seconde couche, de telle sorte qu'une ouverture inférieure de chaque trou d'interconnexion de contact entre en contact avec une surface supérieure d'une butée de gravure; et former au moins une électrode dans le ou les trous d'interconnexion de contact, de telle sorte que chaque électrode s'étend respectivement dans un trou d'interconnexion de contact, et est en contact avec ladite butée de gravure et est électriquement couplée à cette dernière. La ou les butées de gravure comprennent une composition. La composition est apte à bloquer une gravure sur la première couche pendant la formation du ou des trous d'interconnexion de contact dans la seconde couche; et la composition a également l'une des caractéristiques suivantes : un produit d'oxydation de la composition est facilement amovible par une solution; un produit d'oxydation est conducteur; ou la composition est résistante à l'oxydation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)