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1. (WO2017166341) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR TFT ET SUBSTRAT POUR TFT FABRIQUÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/166341 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/079805
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 21.04.2016
CIB :
H01L 21/77 (2017.01) ,G02F 1/136 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
葛世民 GE, Shimin; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E Shenkan Building,Shangbu Zhong Road Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201610194250.230.03.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE AND MANUFACTURED TFT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR TFT ET SUBSTRAT POUR TFT FABRIQUÉ
(ZH) TFT基板的制作方法及制得的TFT基板
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a TFT substrate, and a manufactured TFT substrate. By using the characteristics of high transmittance for visible light exhibited by a transparent metal oxide conductive material, and by using a processing approach to obtain a transparent metal oxide conductor by doping a transparent metal oxide semiconductor, the method for manufacturing the TFT substrate forms an active layer (70) and a pixel electrode (80) simultaneously so as to achieve the results of reducing the number of photomasks, improving production efficiency and reducing production costs. Furthermore, by means of using only one semi-transparent mask (15) for exposure, forming a common electrode (22) by means of etching as well as a stacked light-shielding layer composed by a light-shielding layer (30) and a transparent conductive layer (21), the number of photomasks can be further reduced; providing a light-shielding layer below the TFT prevents light irradiation from impacting the electrical stability of the TFT. The TFT substrate provided according to the present disclosure has simple manufacturing procedure, low production costs, and a light-shielding layer provided below TFT, which avoids impact of light irradiation on the electrical stability of the TFT.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication de substrat pour TFT et un substrat pour TFT fabriqué. Grâce aux caractéristiques de haute transmittance de la lumière visible présentées par un matériau conducteur d’oxyde de métal transparent, et au moyen d’une approche de traitement pour obtenir un conducteur d’oxyde de métal transparent en dopant un semi-conducteur d’oxyde de métal transparent, le procédé de fabrication du substrat de TFT forme une couche active (70) et une électrode de pixel (80) simultanément afin d’obtenir les résultats de réduction du nombre de photomasques, d’amélioration du rendement de production et de réduction des coûts de production. En outre, grâce à l’utilisation d’un seul masque semi-transparent (15) pour l’exposition, à la formation d’une électrode commune (22) par gravure ainsi que d’une couche de protection contre la lumière empilée composée d’une couche de protection contre la lumière (30) et d’une couche conductrice transparente (21), le nombre de photomasques peut être encore réduit ; la disposition d’une couche de protection contre la lumière sous le TFT évite que le rayonnement lumineux influence la stabilité électrique du TFT. Le substrat de TFT selon la présente invention présente une procédure de fabrication simple, de faibles coûts de production, et une couche de protection contre la lumière disposée sous le TFT, ce qui évite que le rayonnement lumineux influence la stabilité électrique du TFT.
(ZH) 一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板,TFT基板的制作方法利用透明金属氧化物导体材料可见光透过率较高的特点以及将透明金属氧化物半导体掺杂处理成透明金属氧化物导体的方法,同时形成有源层(70)与像素电极(80),能够达到减少光罩次数,提高生产效率和降低生产成本的目的;此外,仅采用一道半透光罩(15)曝光、刻蚀形成公共电极(22)以及遮光层(30)和透明导电层(21)形成的叠层遮光层,可进一步减少光罩次数,通过TFT下方设置遮光层,避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。提供的TFT基板,制程简单,生产成本低,且TFT下方设有遮光层,避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)