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1. (WO2017166337) TRANSISTOR À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES

Pub. No.:    WO/2017/166337    International Application No.:    PCT/CN2016/079272
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 15 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/12
H01L 29/786
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: ZHAO, Shuli
赵书力
LU, Macai
卢马才
Title: TRANSISTOR À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Abstract:
L'invention concerne un transistor à film mince (10), un panneau d'affichage à cristaux liquides, et un procédé de fabrication du transistor à film mince (10). Le transistor à film mince (10) comprend : un substrat (110) ; une région de grille (120) disposée sur la surface du substrat (110) ; une couche diélectrique (130) recouvrant la région de grille (120) ; une première partie électriquement conductrice (141) disposée sur la couche diélectrique (130) à distance de la région de grille (120) ; une seconde partie électriquement conductrice (142) disposée sur la surface de la couche diélectrique (130) à distance de la région de grille (120), et la seconde partie électriquement conductrice (142) et la première partie électriquement conductrice (141) étant espacées l'une de l'autre ; une région de source (150) disposée sur la surface de la première partie électriquement conductrice (141) à distance de la couche diélectrique (130) ; une région de drain (160) disposée sur la surface de la seconde partie électriquement conductrice (142) à distance de la couche diélectrique (130) ; une couche active (170) disposée sur la surface de la couche diélectrique (130) à distance de la région de grille (120), les deux extrémités opposées de la couche active (170) étant électriquement connectées à la région de source (150) et à la région de drain (160), respectivement ; une couche de passivation (180) recouvrant la région de source (150), la région de drain (160) et la couche active (170).