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1. (WO2017166336) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/166336 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/079247
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 14.04.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/786]
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2,Tangming Rd,Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
刘勋 LIU, Xun; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial&Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201610182409.928.03.2016CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及液晶显示面板
Abrégé :
(EN) A thin film transistor (10), a liquid crystal display panel (1), and a method for manufacturing the thin film transistor (10). The thin film transistor (10) comprises: a substrate (110); a gate (120) provided on the surface of the substrate (110); a gate insulating layer (130) covering the gate (120); a semiconductor layer (140) provided on the surface, far from and corresponding to the gate (120), of the gate insulating layer (130); an etching barrier layer (150) which covers the semiconductor layer (140) and comprises a first through hole (151) and a second through hole (152), the first through hole (151) and the second through hole (152) being provided corresponding to the semiconductor layer (140) to partially expose the semiconductor layer (140); a passivation layer (170) which covers the etching barrier layer (150) and comprises a third through hole (171) and a fourth through hole (172), the third through hole (171) being disposed corresponding to and being communicated with the first through hole (151), and the fourth through hole (172) being disposed corresponding to and being communicated with the second through hole (152); a source (180a) provided on the passivation layer (170) and connected with one end of the semiconductor layer (140) by means of the first through hole (151) and the third through hole (171); and a drain (180b) provided on the passivation layer (170), spaced from the source (180a), and connected with the other end of the semiconductor layer (140) by means of the second through hole (152) and the fourth through hole (172).
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces (10), un procédé de fabrication associé et un panneau d'affichage à cristaux liquides (1). Le transistor à couches minces (10) comprend : un substrat (110) ; une grille (120) disposée sur la surface du substrat (110) ; une couche d'isolation de grille (130) recouvrant la grille (120) ; une couche semi-conductrice (140) disposée sur la surface de la couche d'isolation de grille (130), éloignée de la grille (120) et en correspondance avec cette dernière ; une couche barrière de gravure (150) qui recouvre la couche semi-conductrice (140) et comprend un premier trou traversant (151) et un deuxième trou traversant (152), le premier trou traversant (151) et le deuxième trou traversant (152) étant disposés en correspondance avec la couche semi-conductrice (140) afin d'exposer partiellement la couche semi-conductrice (140) ; une couche de passivation (170) qui recouvre la couche barrière de gravure (150) et qui comprend un troisième trou traversant (171) et un quatrième trou traversant (172), le troisième trou traversant (171) étant disposé en correspondance avec le premier trou traversant (151) et étant en communication avec ce dernier, et le quatrième trou traversant (172) étant disposé en correspondance avec le deuxième trou traversant (152) et étant en communication avec ce dernier ; une source (180a) disposée sur la couche de passivation (170) et connectée à une extrémité de la couche semi-conductrice (140) au moyen du premier trou traversant (151) et du troisième trou traversant (171) ; un drain (180b) disposé sur la couche de passivation (170), espacé de la source (180a) et connecté à l'autre extrémité de la couche semi-conductrice (140) au moyen du deuxième trou traversant (152) et du quatrième trou traversant (172).
(ZH) 一种薄膜晶体管(10)、液晶显示面板(1)及薄膜晶体管(10)的制备方法。薄膜晶体管(10)包括:基板(110);栅极(120),设置在基板(110)的表面;栅极绝缘层(130),覆盖栅极(120);半导体层(140),设置在栅极绝缘层(130)远离栅极(120)的表面且对应栅极(120)设置;蚀刻阻挡层(150),覆盖半导体层(140),蚀刻阻挡层(150)包括第一贯孔(151)及第二贯孔(152),第一贯孔(151)及第二贯孔(152)对应半导体层(140)设置以显露部分半导体层(140);钝化层(170),覆盖蚀刻阻挡层(150),钝化层(170)包括第三贯孔(171)及第四贯孔(172),第三贯孔(171)对应第一贯孔(151)设置且与第一贯孔(151)连通,第四贯孔(172)对应第二贯孔(152)设置且与第二贯孔(152)连通;源极(180a),设置在钝化层(170)上且通过第一贯孔(151)及第三贯孔(171)连接半导体层(140)的一端;及漏极(180b),设置在钝化层(170)上,与源极(180a)间隔设置,且通过第二贯孔(152)及第四贯孔(172)连接半导体层(140)的另一端。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)