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1. (WO2017166169) COMPOSANT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES PASSIVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/166169 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/077998
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
G02F 1/136 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Déposants :
SONG, Xiaomei [CN/CN]; CN (SC)
RAO, Yuanqiao [US/US]; US (SC)
HU, Nan [CN/CN]; CN (SC)
LI, Zhe [CN/CN]; CN (SC)
LIU, Andong [CN/CN]; CN (SC)
YANG, Wen [CN/CN]; CN (SC)
XU, Jianping [CN/CN]; CN (SC)
DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 2040 Dow Center Midland, Michigan, US
Inventeurs :
SONG, Xiaomei; CN
RAO, Yuanqiao; US
HU, Nan; CN
LI, Zhe; CN
LIU, Andong; CN
YANG, Wen; CN
XU, Jianping; CN
Mandataire :
SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PASSIVATED THIN FILM TRANSISTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES PASSIVÉ
Abrégé :
(EN) A method of making a passivated thin film transistor component for use in a display device, is provided, comprising: providing a thin film transistor component, comprising: a substrate, at least one electrode, a dielectric and a semiconductor; providing a film forming matrix material; and, providing a plurality of non-crystalline hydrophobic silica particles having an average particle size of 5 to 120 nm and a water absorbance of<2%determined according to ASTM E1131; combining the film forming matrix material and the plurality of non-crystalline hydrophobic silica particles to form a composite; and, applying the composite to the thin film transistor component to form a barrier film thereon, providing the passivated thin film transistor component; wherein the semiconductor is interposed between the barrier film and the substrate.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un composant de transistor à couches minces passivé destiné à être utilisé dans un dispositif d'affichage, le procédé comprenant : l'utilisation d'un composant de transistor à couches minces comportant un substrat, au moins une électrode, un diélectrique et un semi-conducteur ; l'utilisation d'un matériau de matrice filmogène ; et l’utilisation d'une pluralité de particules de silice hydrophobes non cristallines ayant une dimension moyenne des particules de 5 à 120 nm et une capacité d’absorption d'eau de moins de 2 % déterminée selon la norme ASTM E1131 ; la combinaison du matériau de matrice filmogène et de la pluralité de particules de silice hydrophobes non cristallines pour former un composite ; et l'application du composite au composant de transistor à couches minces afin de former un film barrière sur ce composant, ce qui permet d’obtenir le composant de transistor à couches minces passivé, le semi-conducteur étant intercalé entre le film barrière et le substrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)