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1. (WO2017166157) MODULE ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE TRIDIMENSIONNEL ENTIÈREMENT MOULÉ POUR APPLICATIONS HAUTE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/166157 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/077977
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 25/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
Déposants :
HONG KONG APPLIED SCIENCE & TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE COMPANY LIMITED [CN/CN]; 5/F, Photonics Centre, 2 Science Park East Avenue Hong Kong Science Park, Shatin, N.T. Hong Kong, CN
Inventeurs :
GAO, Ziyang; CN
LV, Ya; CN
Mandataire :
CHINA TRUER IP; 10A3, Jiangxi Shiji Haoting Building (Jiangxi Building) Shennan Road South, Chegong Miao, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
15/084,44229.03.2016US
Titre (EN) THREE DIMENSIONAL FULLY MOLDED POWER ELECTRONICS MODULE FOR HIGH POWER APPLICATIONS AND THE METHOD THEREOF
(FR) MODULE ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE TRIDIMENSIONNEL ENTIÈREMENT MOULÉ POUR APPLICATIONS HAUTE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ
Abrégé :
(EN) A power electronic package (100) includes a first substrate (110), a second substrate (120) oppositely disposed from the first substrate, one or more chips (130) disposed between the substrates, and at least three spacers (140). The spacers control a height variation of the power electronic package and protect the chips and other electronics from experiencing excessive stress. The height of the spacers is determined based on a height of the chips, on a height of solder blocks (150) that connect the chips to the top substrate, and on a height of solder blocks that connect the chips to the bottom substrate.
(FR) Selon l'invention, un boîtier électronique de puissance (100) comprend un premier substrat (110), un second substrat (120) disposé de manière opposée au premier substrat, une ou plusieurs puces (130) disposées entre les substrats, et au moins trois espaceurs (140). Les espaceurs commandent une variation de hauteur du boîtier électronique de puissance et protègent les puces et d'autres composants électroniques contre une contrainte excessive. La hauteur des espaceurs est déterminée sur la base d'une hauteur des puces, sur une hauteur de blocs de brasure (150) qui relient les puces au substrat supérieur, et sur une hauteur de blocs de brasure qui relient les puces au substrat inférieur.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)