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1. (WO2017166028) FILM DE SULFURE DE TUNGSTÈNE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/166028 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/077550
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2016
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,C01G 41/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
41
Composés du tungstène
Déposants :
深圳大学 SHENZHEN UNIVERSITY [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区南海大道3688号 Nanhai Ave3688, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518060, CN
Inventeurs :
刘新科 LIU, Xinke; CN
何佳铸 HE, Jiazhu; CN
刘强 LIU, Qiang; CN
吕有明 LV, Youming; CN
俞文杰 YU, Wenjie; CN
韩舜 HAN, Shun; CN
曹培江 CAO, Peijiang; CN
柳文军 LIU, Wenjun; CN
曾玉祥 ZENG, Yuxiang; CN
贾芳 JIA, Fang; CN
朱德亮 ZHU, Deliang; CN
Mandataire :
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) HENSEN INTELLECTUAL PROPERTY FIRM; 中国广东省深圳市 福田区南园路68号上步大厦10H 10h Shangbu Building, No.68 Nanyuan Road, Futian Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TUNGSTEN SULFIDE FILM AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) FILM DE SULFURE DE TUNGSTÈNE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ
(ZH) 一种硫化钨薄膜及其制备方法
Abrégé :
(EN) A method for preparing a large-area tungsten sulfide film, comprising the following steps: plating an atomically thin W layer on a silicon substrate; plating an atomically thin S layer on the W layer; and plating another atomically thin W layer on the S layer, so as to obtain a monolayer WS2 film with a W-S-W layered structure.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour préparer un film de sulfure de tungstène de grande superficie, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : le placage d'une couche de W atomiquement mince sur un substrat de silicium ; le placage d'une couche de S atomiquement mince sur la couche de W ; et le placage d'une autre couche de W atomiquement mince sur la couche de S, de façon à obtenir un film de WS2 monocouche qui présente une structure stratifiée W-S-W.
(ZH) 一种可大面积制备硫化钨薄膜的方法,包括以下步骤:在硅衬底上镀上一层厚度为一个原子的W层,在W层上镀上一层厚度为一个原子的S层,以及在S层上镀上另一层厚度为一个原子的W层,获得W-S-W层状结构的单层WS 2薄膜。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)