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1. (WO2017166001) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE BA3P3O10CL ET DISPOSITIF DE CROISSANCE DE CRISTAL
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N° de publication :    WO/2017/166001    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/077472
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2016
CIB :
C30B 29/10 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), C30B 1/10 (2006.01)
Déposants : FUJIAN INSTITUTE OF RESEARCH ON THE STRUCTURE OF MATTER, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 155 Yangqiao Road West Fuzhou, Fujian 350002 (CN)
Inventeurs : CHEN, Ling; (CN).
WANG, Guoqiang; (CN).
WU, Liming; (CN).
WU, Xintao; (CN)
Mandataire : BEIJING ORIGINTELLIGENCE IP LAW FIRM; LIU Yuanxia Room 705, Tower E, Jiahua Building No.9, Shangdi 3rd Street, Haidian District Beijing 100085 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BA3P3O10CL SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD AND CRYSTAL GROWTH DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE BA3P3O10CL ET DISPOSITIF DE CROISSANCE DE CRISTAL
(ZH) 一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法和晶体生长装置
Abrégé : front page image
(EN)A Ba3P3O10Cl single crystal growth method and a crystal growth device. The crystal growth device comprises: a furnace body (2), a furnace body holder (11) for holding the furnace body (2) and a hearth located within the furnace body (2), the hearth comprising a high temperature region located at the upper end thereof and a low temperature region located at the lower end thereof. A lifting device is provided on the furnace body holder (11) to control the rise and fall of a crucible bar (6) located within the hearth, and thus control the reciprocal motion of raw materials to be heated in the high temperature region and the low temperature region. A Ba3P3O10Cl single crystal of high quality and large size, which is able to meet the practical requirement of being at centimeter scale, is obtained from the method of the present invention, the size being about Φ10×50mm, and the transmittance in the ultraviolet-visible area being able to reach 90% or more. The crystal growth device has a novel and simple structure, and therefore cannot only be suitable for the growth of the Ba3P3O10Cl single crystal but also be suitable for the crystal growth of a series of compounds that are easily oxidized, melt unevenly, or of which the decomposition temperature is lower than the melting point, and thus has broad application value.
(FR)Cette invention concerne un procédé de croissance de monocristaux de Ba3P3O10Cl et un dispositif de croissance de cristal. Le dispositif de croissance de cristal comprend : un corps de four (2), un support de corps de four (11) pour supporter le corps de four (2) et un foyer situé à l'intérieur du corps de four (2), le foyer comprenant une région à haute température située à son extrémité supérieure et une région à basse température située à son extrémité inférieure. Un dispositif de levage est disposé sur le support de corps de four (11) pour commander l'élévation et la descente d'une barre de creuset (6) située à l'intérieur du foyer, et commander ainsi le mouvement alternatif des matières premières à chauffer dans la région à haute température et la région à basse température. Un monocristal de Ba3P3O10Cl de grande qualité et de grande taille, qui est apte à satisfaire l'exigence pratique d'être de l'ordre du centimètre, est obtenu à partir du procédé selon l'invention, sa taille étant d'environ Phi 10 × 50 mm, et sa transmittance dans la zone de l'ultraviolet visible pouvant atteindre 90 % ou plus. Le dispositif de croissance cristalline présente une structure nouvelle et simple, et, par conséquent, il n'est pas uniquement approprié pour la croissance du monocristal de Ba3P3O10Cl mais il peut aussi être approprié pour la croissance cristalline d'une série de composés qui sont facilement oxydés, fondus de façon irrégulière, ou dont la température de décomposition est inférieure au point de fusion, et il présente donc un vaste champ d'applications.
(ZH)一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法和晶体生长装置,所述晶体生长装置包括:炉体(2);用于支撑所述炉体(2)的炉体支架(11)以及位于所述炉体(2)内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架(11)上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆(6)的升降,进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。本发明的方法得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶,尺寸约为Φ10×50mm,且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。该晶体生长装置结构新颖,简单,不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长,而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长,具有广泛的应用价值。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)