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1. (WO2017147296) DISPOSITIF AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI

Pub. No.:    WO/2017/147296    International Application No.:    PCT/US2017/019138
Publication Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Feb 24 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
H01L 29/12
H01L 29/08
H01L 29/808
H01L 29/745
H01L 29/739
Applicants: GENERAL ELECTRIC COMPANY
Inventors: LOSEE, Peter, Almern
STEVANOVIC, Ljubisa, Dragoljub
DUNNE, Greg, Thomas
BOLOTNIKOV, Alexander, Viktorovich
Title: DISPOSITIF AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract:
L'invention concerne des modes de réalisation d'un dispositif au carbure de silicium (SiC). Dans certains modes de réalisation, un dispositif au carbure de silicium (SiC) peut comprendre une électrode de grille disposée au-dessus d'une couche de semi-conducteur en SiC, où la couche de semi-conducteur en SiC comprend : une région de dérive ayant un premier type de conductivité ; une région de puits adjacente à la région de dérive, où la région de puits a un deuxième type de conductivité ; et une région de source ayant le premier type de conductivité adjacente à la région de puits, où la région de source comprend une région de contact de source et une région de pincement, où la région de pincement est disposée seulement partiellement sous l'électrode de grille, où une densité surfacique de dopant dans la région de pincement est inférieure à 2,5xl014cm-2, et où la région de pincement est configurée pour s'appauvrir à une densité de courant supérieure à une densité de courant nominale du dispositif au SiC pour augmenter la résistance de la région de source.