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1. (WO2017146743) MÉTRIQUES DE VARIATION DE RUGOSITÉ DE SURFACE DE TAMPON DESTINÉS À DES DISQUES DE CONDITIONNEMENT DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
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N° de publication :    WO/2017/146743    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/019985
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 27.02.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventeurs : TREGUB, Alexander; (US).
BRAMBLETT, Thomas R.; (US)
Mandataire : ZAGER, Laura A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PAD SURFACE ROUGHNESS CHANGE METRICS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING CONDITIONING DISKS
(FR) MÉTRIQUES DE VARIATION DE RUGOSITÉ DE SURFACE DE TAMPON DESTINÉS À DES DISQUES DE CONDITIONNEMENT DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are pad surface roughness (PSR) change metrics for chemical mechanical polishing (CMP) conditioning disks. In some embodiments, a CMP system may include control circuitry to: access a stored PSR change metric for a CMP polishing pad and a CMP conditioning disk; generate, based on the PSR change metric, a conditioning time for conditioning the CMP polishing pad with the CMP conditioning disk to achieve a target PSR for the CMP polishing pad; and generate, based on the conditioning time, a control instruction for a first arm or a second arm of the CMP system, wherein the CMP conditioning disk is coupled to the first arm, the CMP polishing pad is coupled to the second arm, and the control instruction is to cause the CMP conditioning disk to condition the CMP polishing pad for the conditioning time.
(FR)L'invention concerne des métriques de variation de rugosité de surface de tampon (PSR) destinés à des disques de conditionnement de polissage mécano-chimique (CMP). Dans certains modes de réalisation, un système CMP peut comporter un circuit de commande de manière : à accéder à une métrique de variation de PSR stockée destinée à un tampon de polissage CMP et un disque de conditionnement de CMP ; à générer, sur la base de la métrique de variation de PSR, un temps de conditionnement destiné à conditionner le tampon de polissage CMP avec le disque de conditionnement de CMP afin d'obtenir une PSR cible destiné au tampon de polissage CMP ; et à générer, sur la base du temps de conditionnement, une instruction de commande destinée à un premier bras ou à un second bras du système CMP, le disque de conditionnement de CMP étant accouplé au premier bras, le tampon de polissage CMP étant accouplé au second bras, et l'instruction de commande servant à amener le disque de conditionnement de CMP à conditionner le tampon de polissage CMP pendant le temps de conditionnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)