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1. (WO2017146719) BAGUES DE RETENUE DE TRANCHE POUR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/146719 N° de la demande internationale : PCT/US2016/019721
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
TREGUB, Alexander; US
JEWETT, Jason A.; US
MCZEEK, William L.; US
Mandataire :
ZAGER, Laura A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WAFER RETAINER RINGS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
(FR) BAGUES DE RETENUE DE TRANCHE POUR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are wafer retainer rings for chemical mechanical polishing (CMP) systems. Various ones of the wafer retainer rings disclosed herein may meet one or more criteria for limiting the wear on the wafer retainer ring during polishing. For example, in some embodiments, a wafer retainer ring may include a top surface including a plurality of ridges separated by a corresponding plurality of grooves, wherein each of the plurality of ridges has a width; a bottom surface; an inner surface circumscribing an area having a diameter; and an outer surface; wherein a ratio of the diameter to the width is less than 3.8.
(FR) La présente invention concerne des bagues de retenue de tranche pour polissage mécano-chimique (CMP). Diverses bagues parmi les bagues de retenue de tranche selon l'invention peuvent satisfaire à un ou plusieurs critères pour limiter l'usure sur la bague de retenue de tranche durant le polissage. Par exemple, dans certains modes de réalisation, une bague de retenue de tranche peut comprendre une surface supérieure qui comprend une pluralité de crêtes séparées par une pluralité correspondante de rainures, chaque crête parmi la pluralité de crêtes possédant une largeur ; une surface inférieure ; une surface intérieure qui entoure une zone qui présente un diamètre ; et une surface extérieure. Le rapport diamètre-largeur est inférieur à 3,8.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)