Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017146683) MATRICES DE MEMRISTANCES AVEC DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE FORME D'ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/146683 N° de la demande internationale : PCT/US2016/019104
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 23.02.2016
CIB :
G11C 13/00 (2006.01) ,G11C 11/15 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
14
utilisant des éléments à pellicules minces
15
utilisant des couches magnétiques multiples
Déposants :
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070, US
Inventeurs :
BUCHANAN, Brent; US
ZHENG, Le; US
Mandataire :
PAGAR, Preetam B.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMRISTIVE ARRAYS WITH A WAVEFORM GENERATION DEVICE
(FR) MATRICES DE MEMRISTANCES AVEC DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE FORME D'ONDE
Abrégé :
(EN) In one example in accordance with the present disclosure a memristive array is described. The memristive array includes a number of bit cells, each bit cell including a memristive element and a selecting transistor serially coupled to the memristive element. The array also includes a waveform generation device coupled to the number of bit cells. The waveform generation device generates a shaped waveform to be applied to the number of bit cells to switch a state of the memristive element. The waveform generation device passes the shaped waveform to gates of the selecting transistors of the number of bit cells.
(FR) Selon un exemple, l'invention concerne une matrice de memristances. La matrice de memristances comprend une pluralité de cellules binaires, chaque cellule binaire comprenant un élément memristif et un transistor de sélection couplé en série à l'élément memristif. La matrice comprend également un dispositif de génération de forme d'onde couplé à la pluralité de cellules binaires. Le dispositif de génération de forme d'onde génère une forme d'onde façonnée qui doit être appliquée au nombre de cellules binaires pour commuter un état de l'élément memristif. Le dispositif de génération de forme d'onde transmet la forme d'onde façonnée aux grilles des transistors de sélection du nombre de cellules binaires.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)