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1. (WO2017146676) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR CRÉER UN CANAL ACTIF PRÉSENTANT DES SURFACES LATÉRALES ET INFÉRIEURE RICHES EN INDIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/146676 N° de la demande internationale : PCT/US2016/018981
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 22.02.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : MOHAPATRA, Chandra S.; US
MURTHY, Anand S.; US
GLASS, Glenn A.; US
METZ, Matthew V.; US
RACHMADY, Willy; US
DEWEY, Gilbert; US
GHANI, Tahir; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
Mandataire : WINKLE, Robert G.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND METHODS TO CREATE AN ACTIVE CHANNEL HAVING INDIUM RICH SIDE AND BOTTOM SURFACES
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR CRÉER UN CANAL ACTIF PRÉSENTANT DES SURFACES LATÉRALES ET INFÉRIEURE RICHES EN INDIUM
Abrégé :
(EN) Transistor devices having an indium-containing ternary or greater III-V compound active channels, and processes for the fabrication of the same, may be formed that enables improved carrier mobility when fabricating fin shaped active channels, such as those used in tri-gate or gate all around (GAA) devices. In one embodiment, an indium-containing ternary or greater III-V compound may be deposited in narrow trenches on a reconstructed upper surface of a sub-structure, which may result in a fin that has indium rich side surfaces and an indium rich bottom surface. These indium rich surfaces will abut a gate oxide of a transistor and may result in high electron mobility and an improved switching speed relative to conventional homogeneous compositions of indium-containing ternary or greater III-V compound active channels
(FR) L’invention concerne des dispositifs à transistors comportant des canaux actifs d’un composé III-V ternaire ou supérieur contenant de l’indium, et des procédés de fabrication de ces dispositifs, permettant d’améliorer la mobilité des porteurs lors de la fabrication de canaux actifs en forme d’ailettes, comme ceux utilisés dans des dispositifs à triple grille ou à grille enrobante (GAA). Dans un mode de réalisation, un composé III-V ternaire ou supérieur contenant de l’indium peut être déposé dans des tranchées étroites sur une surface supérieure reconstruite d'une sous-structure, ce qui permet d’obtenir une ailette présentant des surfaces latérales riches en indium et une surface inférieure riche en indium. Ces surfaces riches en indium entrent en butée contre un oxyde de grille d’un transistor et permettent d’obtenir une mobilité d’électrons élevée et une amélioration de la vitesse de commutation par rapport aux compositions homogènes classiques de canaux actifs d’un composé III-V ternaire ou supérieur contenant de l’indium.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)