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1. (WO2017146644) AGENCEMENT DE CIRCUIT, PROCÉDÉ DE SA FORMATION ET DE SON FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation
N° de publication : WO/2017/146644 N° de la demande internationale : PCT/SG2017/050067
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 16.02.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 06.10.2017
CIB :
H03K 19/18 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
02
utilisant des éléments spécifiés
18
utilisant des dispositifs galvanomagnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH[SG/SG]; 1 Fusionopolis Way, #20-10 Connexis, Singapore 138632, SG
Inventeurs : LUA, Sunny Yan Hwee; SG
MANI, Aarthy; SG
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER LLP; P.O. Box 1088, Rochor Post Office, Rochor Road, Singapore 911833, SG
Données relatives à la priorité :
10201601428W25.02.2016SG
Titre (EN) CIRCUIT ARRANGEMENT, METHOD OF FORMING AND OPERATING THE SAME
(FR) AGENCEMENT DE CIRCUIT, PROCÉDÉ DE SA FORMATION ET DE SON FONCTIONNEMENT
Abrégé :
(EN) Various embodiments may provide a circuit arrangement. The circuit arrangement may include a first spin-orbit torque magnetic tunnel junction cell, a second spin-orbit torque magnetic tunnel junction cell, a first driver circuit arrangement, a second driver circuit arrangement, and a read circuit arrangement. The circuit arrangement allows for the operation of a non-volatile flip-flop based on spin-orbit torque effect.
(FR) Divers modes de réalisation selon la présente invention peuvent fournir un agencement de circuit. L'agencement de circuit peut comprendre une première cellule à jonction à effet tunnel magnétique à couple spin-orbite, une seconde cellule à jonction à effet tunnel magnétique à couple spin-orbite, un premier agencement de circuit d'attaque, un second agencement de circuit d'attaque, et un agencement de circuit de lecture. L'agencement de circuit permet le fonctionnement d'une bascule bistable non volatile sur la base de l'effet de couple spin-orbite.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)