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1. (WO2017146244) MATÉRIAU CRISTALLIN ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
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N° de publication : WO/2017/146244 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/007236
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
C30B 29/34 (2006.01) ,C30B 9/04 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/39 (2013.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
34
Silicates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
9
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus
04
par refroidissement du bain
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
35
Formation de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs
39
Matériaux inorganiques
Déposants :
株式会社Piezo Studio PIEZO STUDIO INC. [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-40 6-6-40, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808579, JP
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1,Katahira,Aoba-ku,Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs :
吉川 彰 YOSHIKAWA,Akira; JP
横田 有為 YOKOTA,Yuui; JP
大橋 雄二 OHASHI,Yuji; JP
鎌田 圭 KAMADA,Kei; JP
工藤 哲男 KUDO,Tetsuo; JP
井上 憲司 INOUE,Kenji; JP
庄子 育宏 SHOJI,Yasuhiro; JP
五十嵐 悠 IGARASHI,Yu; JP
荒川 元孝 ARAKAWA,Mototaka; JP
黒澤 俊介 KUROSAWA,Shunsuke; JP
山路 晃広 YAMAJI,Akihiro; JP
Mandataire :
山川 茂樹 YAMAKAWA,Shigeki; JP
山川 政樹 YAMAKAWA,Masaki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03414525.02.2016JP
Titre (EN) CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MATÉRIAU CRISTALLIN ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
(JA) 結晶材料およびその製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention clarifies the congruent composition of a langasite-type oxide and establishes a method for producing crystals of any desired composition of AE3ME1+a(Ga1-xAlx)3+bSi2+cO14 (AE is an alkaline earth metal, ME is Nb or Ta, 0 ≤ x ≤ 1, -0.5 < a ≤ 0 or 0 < a < 0.5, -0.5 < b ≤ 0 or 0 < b < 0.5, -0.5 < c ≤ 0 or 0 < c < 0.5; however, excluding when a = b = c = 0), whereby generation of impurities can be suppressed and the yield and crystal production rate can be improved. The raw material is a mixed raw material in which an alkaline earth metal or a carbonate or oxide thereof, Nb or Ta or an oxide thereof, Ga or an oxide thereof, Al or an oxide thereof, and Si or an oxide thereof are mixed.
(FR) La présente invention clarifie la composition congruente d'un oxyde de type langasite et établit un procédé de production de cristaux de n'importe quelle composition souhaitée d'AE3ME1+a(Ga1-xAlx)3+bSi2+cO14 (AE représente un métal alcalino-terreux, ME représente Nb ou Ta, 0 ≤ x ≤ 1, -0,5 < a ≤ 0 ou 0 < a < 0,5, -0,5 < b ≤ 0 ou 0 < b < 0,5, -0,5 < c ≤ 0 ou 0 < c < 0,5; toutefois, à l'exclusion de a = b = c = 0), la génération d'impuretés pouvant ainsi être supprimée et le rendement et le taux de production de cristaux pouvant être améliorés. La matière première est une matière première mélangée dans laquelle un métal alcalino-terreux ou un carbonate ou un oxyde correspondant, Nb ou Ta ou un oxyde correspondant, Ga ou un oxyde correspondant, Al ou un oxyde correspondant et Si ou un oxyde correspondant sont mélangés.
(JA) ランガサイト系酸化物のコングルエント組成を明らかにし、AE3ME1+a(Ga1-xAlx3+bSi2+c14(AEはアルカリ土類金属、MEはNbまたはTa、0≦x≦1、-0.5<a≦0または0<a<0.5、-0.5<b≦0または0<b<0.5、-0.5<c≦0または0<c<0.5、ただしa=b=c=0の場合を除く)のいずれかの所望とする組成で結晶を作製する方法を確立することで、不純物の発生を抑制し、歩留まり及び結晶作製速度を向上させることができる。原料はアルカリ土類金属またはその炭酸塩もしくは酸化物、NbまたはTaまたはそれらの酸化物、Gaまたはその酸化物,Alまたはその酸化物,およびSiまたはその酸化物を混合して混合原料とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)