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1. (WO2017146214) ÉLÉMENT DE PHOTOPILE
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N° de publication : WO/2017/146214 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/007144
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0216
Revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068
les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
Déposants :
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
Inventeurs :
吉田 貴信 YOSHIDA Takanobu; JP
松岡 遼 MATSUOKA Ryo; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03518926.02.2016JP
Titre (EN) SOLAR CELL ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE PHOTOPILE
(JA) 太陽電池素子
Abrégé :
(EN) This solar cell element is provided with a semiconductor substrate, a passivation layer that is positioned above the semiconductor substrate, a protective layer that is positioned above the passivation layer, and a first electrode that is positioned above the protective layer. The protective layer has at least one void part that extends from a first lower surface of the first electrode, said first lower surface being on the semiconductor substrate side, to a first upper surface of the passivation layer, said first upper surface being on the first lower surface side.
(FR) L'invention porte sur un élément de photopile qui comprend un substrat semi-conducteur, une couche de passivation qui est positionnée au-dessus du substrat semi-conducteur, une couche de protection qui est positionnée au-dessus de la couche de passivation, et une première électrode qui est positionnée au-dessus de la couche de protection. La couche de protection présente au moins une partie vide qui s'étend à partir d'une première surface inférieure de la première électrode, ladite première surface inférieure étant située du côté du substrat semi-conducteur, jusqu'à une première surface supérieure de la couche de passivation, ladite première surface supérieure étant située du côté de la première surface inférieure.
(JA) 太陽電池素子は、半導体基板と、該半導体基板の上に位置しているパッシベーション層と、該パッシベーション層の上に位置している保護層と、該保護層の上に位置している第1電極と、を備えている。保護層は、第1電極の半導体基板側の第1下面からパッシベーション層の第1下面側の第1上面に至るまで位置している少なくとも1つの空隙部を有している。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)