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1. (WO2017146152) STRATIFIÉ AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
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N° de publication : WO/2017/146152 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006845
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 23.02.2017
CIB :
B32B 27/34 (2006.01) ,B32B 7/02 (2006.01) ,B32B 27/00 (2006.01) ,G03F 7/027 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/14 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
27
Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
34
comprenant des polyamides
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
7
Produits stratifiés caractérisés par la relation entre les couches, c. à d. produits comprenant essentiellement des couches ayant des propriétés physiques différentes, ou produits caractérisés par la jonction entre couches
02
en ce qui concerne les propriétés physiques, p.ex. la dureté
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
27
Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
40
Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14
caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
岩井 悠 IWAI Yu; JP
川端 健志 KAWABATA Takeshi; JP
渋谷 明規 SHIBUYA Akinori; JP
Mandataire :
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Données relatives à la priorité :
2016-03525026.02.2016JP
2016-06085224.03.2016JP
Titre (EN) LAMINATE, METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRATIFIÉ AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 積層体、積層体の製造方法、半導体デバイス、および、半導体デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a laminate in which the adhesion between resin layers is excellent; a method for manufacturing the laminate; a semiconductor device; and a method for manufacturing a semiconductor device. The laminate has a substrate and at least two resin layers, wherein the resin layers each independently, in at least portion of the film surface thereof, contact another resin layer; each of the resin layers independently has a Young's modulus greater than 2.8 GPa and less than or equal to 5.0 GPa, an elongation at break greater than 50% and less than or equal to 200%, and a three-dimensional radical crosslinking structure; and at least one of the resin layers contains at least one among polyimide and polybenzoxazole.
(FR) L’invention fournit un stratifié dont l’adhérence entre plusieurs couches de résine est excellente, un procédé de fabrication de ce stratifié, un dispositif à semi-conducteurs, et un procédé de fabrication de ce dispositif à semi-conducteurs. Le stratifié de l’invention possède un substrat et au moins deux couches de résine. Chaque couche de résine est liée de manière indépendante à une autre couche de résine au niveau d’au moins une partie de sa surface, présente de manière indépendante un module d’élasticité de Young supérieur à 2,8GPa et inférieur ou égal à 5,0GPa, et un allongement à la rupture supérieur à 50% et inférieur ou égal à 200%, et possède une structure réticulée par voie radicalaire en trois dimensions. Au moins une desdites couches de résine contient au moins un élément parmi un polyimide et un polybenzoxazole.
(JA) 樹脂層と樹脂層の密着性に優れた積層体、ならびに、積層体の製造方法、半導体デバイス、および、半導体デバイスの製造方法の提供。基板と、少なくとも2層の樹脂層とを有し、上記樹脂層は、それぞれ独立に、膜面の少なくとも一部において、他の樹脂層と接しており、それぞれ独立に、ヤング率が2.8GPaを超えて5.0GPa以下、かつ、破断伸びが50%を超えて200%以下であり、さらに、3次元ラジカル架橋構造を有し、上記樹脂層のうち、少なくとも1層は、ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールの少なくとも1種を含む、積層体。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)