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1. (WO2017146148) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2017/146148    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/006830
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 23.02.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : TAMURA Takahiro; (JP).
ONOZAWA Yuichi; (JP).
TAKAHASHI Misaki; (JP)
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-032401 23.02.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device comprising: a first region that is formed on the front surface side of a semiconductor substrate; a drift region that is formed closer to the back surface side of the semiconductor substrate than the first region; a buffer region that is formed closer to the back surface side of the semiconductor substrate than the drift region, and includes at least one peak of impurity concentration that is higher than the impurity concentration of the drift region; and a lifetime killer that is disposed on the back surface side of the semiconductor substrate and shortens carrier lifetime. The peak concentration of the lifetime killer is disposed between a peak that is furthest on the front surface side of the semiconductor substrate from among the impurity concentration peaks in the buffer region, and the back surface of the semiconductor substrate.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une première zone qui est formée côté surface avant d'un substrat semi-conducteur ; une zone de migration qui est formée plus près du côté surface arrière du substrat semi-conducteur que la première zone ; une zone tampon qui est formée plus près du côté surface arrière du substrat semi-conducteur que la zone de migration, et qui présente au moins un pic de concentration d'impuretés qui est supérieur à la concentration d'impuretés de la zone de migration ; et un réducteur de durée de vie qui est disposé côté surface arrière du substrat semi-conducteur et raccourcit la durée de vie des porteurs. La concentration maximale du réducteur de durée de vie est située entre un pic qui est le plus proche du côté surface avant du substrat semi-conducteur, parmi les pics de concentration d'impuretés dans la zone tampon, et la surface arrière du substrat semi-conducteur.
(JA)半導体基板のおもて面側に形成された第1領域と、第1領域よりも半導体基板のうら面側に形成されたドリフト領域と、ドリフト領域よりも半導体基板のうら面側に形成され、ドリフト領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度のピークを1以上含むバッファ領域と、半導体基板のうら面側に配置され、キャリアライフタイムを短くするライフタイムキラーとを備え、ライフタイムキラーの濃度のピークが、バッファ領域における不純物濃度のピークのうち最も半導体基板のおもて面側のピークと、半導体基板のうら面との間に配置された半導体装置を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)