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1. (WO2017146110) DISPERSION POUR LA FORMATION D’UN MASQUE D’IMPLANTATION D’IONS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MASQUE D’IMPLANTATION D’IONS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2017/146110 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006650
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 22.02.2017
CIB :
H01L 21/266 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
266
en utilisant des masques
Déposants :
帝人株式会社 TEIJIN LIMITED [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Inventeurs :
添田 淳史 SOEDA, Junshi; JP
池田 吉紀 IKEDA, Yoshinori; JP
Mandataire :
青木 篤 AOKI, Atsushi; JP
石田 敬 ISHIDA, Takashi; JP
古賀 哲次 KOGA, Tetsuji; JP
出野 知 DENO, Satoru; JP
関根 宣夫 SEKINE, Nobuo; JP
塩川 和哉 SHIOKAWA, Kazuya; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03484125.02.2016JP
2016-09186328.04.2016JP
2016-17680909.09.2016JP
Titre (EN) DISPERSION FOR FORMING ION IMPLANTATION MASK, METHOD FOR FORMING ION IMPLANTATION MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPERSION POUR LA FORMATION D’UN MASQUE D’IMPLANTATION D’IONS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MASQUE D’IMPLANTATION D’IONS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) イオン注入マスク形成用分散体、イオン注入マスクの形成方法及び半導体デバイス製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are a dispersion for forming an ion implantation mask used in an ion implantation step during a semiconductor manufacturing process, and a method for manufacturing a semiconductor device which uses the dispersion. The dispersion for forming an ion implantation mask according to the present invention contains a dispersion medium, particles dispersed in the dispersion medium, and an optional heat-resistant binder-forming component. The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises: a step for forming a film pattern of the dispersion according to the present invention on a semiconductor layer or on a substrate; a step for forming an ion implantation mask (13) by drying and/or baking the film pattern; a step for implanting ions (7) into the semiconductor layer or the substrate (2) through a pattern opening (12) of the mask for ion implantation; and a step for removing the ion implantation mask.
(FR) L’invention concerne une dispersion pour la formation d’un masque d’implantation d’ions, utilisée dans une étape d’implantation d’ions d’un procédé de fabrication de semi-conducteurs, et un procédé de fabrication d’un dispositif à semi-conducteurs qui utilise la dispersion. La dispersion pour la formation d’un masque d’implantation d’ions selon la présente invention contient un milieu de dispersion, des particules dispersées dans le milieu de dispersion, et éventuellement un composant de formation de liant thermorésistant. Le procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs selon la présente invention comprend : une étape de formation d’un motif en film de la dispersion selon la présente invention sur une couche semi-conductrice ou sur un substrat ; une étape de formation d’un masque d’implantation d’ions (13) par séchage et/ou cuisson du motif en film ; une étape d’implantation d’ions (7) dans la couche semi-conductrice ou dans le substrat (2) à travers une ouverture en motif (12) du masque servant à l’implantation d’ions ; et une étape d’élimination du masque d’implantation d’ions.
(JA) 半導体製造工程におけるイオン注入工程で用いられるイオン注入マスクを形成するための分散体、及びこの分散体を用いる半導体デバイスの製造方法を提供する。 本発明のイオン注入マスク形成用分散体は、分散媒、分散媒中に分散している粒子、及び随意に耐熱性バインダー形成成分を含有している。半導体デバイスを製造する本発明の方法は、本発明の分散体の膜のパターンを、半導体層又は基材上に形成する工程、この膜のパターンを乾燥及び/又は焼成して、イオン注入用マスク(13)を形成する工程、このイオン注入用マスクのパターン開口部(12)を通して、半導体層又は基材(2)にイオン(7)を注入する工程、及びイオン注入用マスクを除去する工程を含む。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)