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1. (WO2017145964) CORPS D'OXYDE FRITTÉ ET FILM D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT
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N° de publication :    WO/2017/145964    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/006045
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 20.02.2017
CIB :
C04B 35/01 (2006.01), C03C 17/245 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 1/08 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501 (JP)
Inventeurs : AKIIKE Ryo; (JP).
TSUCHIDA Yuya; (JP).
KURAMOCHI Hideto; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-031403 22.02.2016 JP
2016-223540 16.11.2016 JP
Titre (EN) OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
(FR) CORPS D'OXYDE FRITTÉ ET FILM D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide: an oxide sintered body which enables the achievement of a transparent conductive oxide film that exhibits low light absorption characteristics over a wide wavelength range, while having a low resistance; and a transparent conductive oxide film. The present invention uses an oxide sintered body which contains, as constituent elements, indium, hafnium, tantalum and oxygen, and wherein if indium, hafnium and tantalum are respectively represented by In, Hf and Ta, Hf/(In + Hf + Ta) is 0.2-3.0 at% and Ta/( In + Hf + Ta) is 0.02-1.3 at% in terms of atomic ratio.
(FR)La présente invention concerne : un corps d'oxyde fritté qui permet d'obtenir un film d'oxyde conducteur transparent présentant de faibles caractéristiques d'absorption de lumière sur une large plage de longueurs d'onde, tout en possédant une faible résistance ; et un film d'oxyde conducteur transparent. La présente invention utilise un corps d'oxyde fritté qui comporte, en guise d'éléments constitutifs, de l'indium, de l'hafnium, du tantale et de l'oxygène. Et si l'indium, l'hafnium et le tantale sont respectivement représentés par In, Hf et Ta, Hf/(In + Hf + Ta) est de 0,2 à 3,0 % at et Ta/( In + Hf + Ta) est de 0,02 à 1,3 % at en termes de rapport atomique.
(JA)本発明は、広い波長域に渡ってより低い光吸収特性を示し、かつ低抵抗の酸化物透明導電膜を得ることができる酸化物焼結体、及び酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。 構成元素としてインジウム、ハフニウム、タンタル及び酸素を有する酸化物焼結体であって、インジウム、ハフニウム及びタンタルをそれぞれIn、Hf及びTaとしたときに、原子比でHf/(In+Hf+Ta)が0.2~3.0at%、Ta/(In+Hf+Ta)が0.02~1.3at%である酸化物焼結体を使用する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)