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1. (WO2017145939) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PANNEAU D’AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2017/145939 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/005939
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 17.02.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
内田 誠一 UCHIDA Seiichi; --
岡田 訓明 OKADA Kuniaki; --
上田 直樹 UEDA Naoki; --
佐々木 貴啓 SASAKI Takahiro; --
Mandataire :
特許業務法人暁合同特許事務所 AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区栄二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
Données relatives à la priorité :
2016-03288624.02.2016JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PANNEAU D’AFFICHAGE
(JA) 薄膜トランジスタ基板及び表示パネル
Abrégé :
(EN) In the present invention, an array substrate 11b is provided with: a gate wiring 19; a TFT 17 that includes a gate electrode 17a which comprises a part of the gate wiring 19, a channel part 17d which comprises an oxide semiconductor film 24, a source part 17b which is connected to one end of the channel part 17d, and a drain part 17c which comprises an oxide semiconductor film 24 and which has a lower resistance than the channel part 17d and is connected to the other end of the channel part 17d; a pixel electrode 18 connected to the drain part 17c; a pixel PX having the TFT 17 and the pixel electrode 18; and a second interlayer insulating film 27 resulting from forming a second opening 27a in a position overlapping with the pixel electrode 18 and the drain part 17c and not overlapping with the gate electrode 17a.
(FR) Dans la présente invention, un substrat de réseau 11b comporte : un câblage de grille 19 ; un transistor à couches minces 17 qui comprend une électrode de grille 17a comprenant une partie du câblage de grille 19, une partie de canal 17d comprenant un film d'oxyde semi-conducteur 24, une partie de source 17b connectée à une extrémité de la partie de canal 17d, et une partie de drain 17c comprenant un film d'oxyde semi-conducteur 24 et présentant une résistance inférieure à celle de la partie de canal 17d et étant connectée à l'autre extrémité de la partie de canal 17d ; une électrode de pixel 18 connectée à la partie de drain 17c ; un pixel PX ayant le transistor à couches minces 17 et l'électrode de pixel 18 ; et un second film isolant intercalaire 27 résultant de la formation d'une seconde ouverture 27a dans une position chevauchant l'électrode de pixel 18 et la partie de drain 17c et ne se chevauchant pas l'électrode de grille 17a.
(JA) アレイ基板11bは、ゲート配線19と、ゲート配線19の一部からなるゲート電極17aと、酸化物半導体膜24からなるチャネル部17dと、チャネル部17dの一端側に接続されるソース部17bと、チャネル部17dの他端側に接続されてチャネル部17dより低抵抗な酸化物半導体膜24からなるドレイン部17cと、を有するTFT17と、ドレイン部17cに接続される画素電極18と、TFT17及び画素電極18を有する画素PXと、画素電極18及びドレイン部17cと重畳し且つゲート電極17aとは非重畳となる位置に第2開口部27aが形成されてなる第2層間絶縁膜27と、を備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)