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1. (WO2017145802) SUBSTRAT RIGIDE DE NITRURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/145802    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004891
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-Cho, Mizuho-Ku, Nagoya-Shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : WATANABE Morimichi; (JP).
SATO Kei; (JP).
KURAOKA Yoshitaka; (JP).
IMAI Katsuhiro; (JP).
NANATAKI Tsutomu; (JP)
Mandataire : TAKAMURA Masaharu; (JP).
KASHIMA Hiromoto; (JP).
TAKEISHI Taku; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-034006 25.02.2016 JP
2016-139508 14.07.2016 JP
PCT/JP2016/078264 26.09.2016 JP
PCT/JP2016/078265 26.09.2016 JP
PCT/JP2016/078267 26.09.2016 JP
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE SELF-SUPPORTED SUBSTRATE AND LIGHT EMITTING ELEMENT USING SAME
(FR) SUBSTRAT RIGIDE DE NITRURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT UTILISANT CELUI-CI
(JA) 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a polycrystalline gallium nitride self-supported substrate which allows exertion of excellent properties such as high light-emission efficiency and high conversion efficiency when a device such as a light emitting element or a solar cell is made by using the polycrystalline gallium nitride self-supported substrate. The polycrystalline gallium nitride self-supported substrate according to the present invention comprises multiple gallium nitride-based monocrystal particles oriented to a specific crystal orientation in a substantially normal line direction, and has an upper surface and a bottom surface. The crystal orientations of the respective gallium nitride-based monocrystal particles measured in an inverse pole figure map of the upper surface derived by an electron backscatter diffraction (EBSD) method, are distributed at various tilt angles with respect to the specific crystal orientation. The average of the tilt angles is not smaller than 0.1° but smaller than 1°. The average cross-section diameter DT of the outermost surfaces of the gallium nitride-based monocrystal particles exposed on the upper surface is 10 µm or larger.
(FR)La présente invention concerne un substrat rigide de nitrure de gallium polycristallin qui permet d'exercer d'excellentes propriétés telles qu'un rendement électroluminescent élevé et un rendement de conversion élevé lorsqu'un dispositif tel qu'un élément électroluminescent ou une cellule solaire est fabriqué en utilisant le substrat rigide de nitrure de gallium polycristallin. Le substrat rigide de nitrure de gallium polycristallin selon la présente invention comprend de multiples particules monocristallines à base de nitrure de gallium orientées selon une orientation cristalline spécifique dans une direction sensiblement perpendiculaire, et présente une surface supérieure et une surface inférieure. Les orientations cristallines des particules monocristallines respectives à base de nitrure de gallium, mesurées dans une cartographie de figures de pôles inversés de la surface supérieure, dérivées par un procédé de diffraction des électrons rétrodiffusés (EBSD), sont réparties à divers angles d'inclinaison par rapport à l'orientation cristalline spécifique. La moyenne des angles d'inclinaison est supérieure ou égale à 0,1° mais inférieure à 1°. Le diamètre moyen de la section transversale DT des surfaces les plus externes des particules monocristallines à base de nitrure de gallium exposées sur la surface supérieure est supérieur ou égal à 10 µm.
(JA)それを用いて発光素子や太陽電池等のデバイスを作製した場合に、高い発光効率や高い変換効率等の優れた特性が得られる多結晶窒化ガリウム自立基板が提供される。本発明の多結晶窒化ガリウム自立基板は、略法線方向で特定結晶方位に配向した複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成され、上面及び底面を有する。前記上面の電子線後方散乱回折法(EBSD)の逆極点図マッピングによって測定した各窒化ガリウム系単結晶粒子の結晶方位が特定結晶方位から様々な角度で傾斜して分布し、その平均傾斜角が0.1°以上1°未満であり、かつ、前記上面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径Dが10μm以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)